イオン照射を用いた光学式水素検出材料及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007003575
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2015/8/6

基本情報

出願番号 特願2005-328532
出願日 2005/11/14
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2007-132889
公開日 2007/5/31
登録番号 特許第4625906号
特許権者 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
発明の名称 イオン照射を用いた光学式水素検出材料及びその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化スズ、酸化タングステン薄膜
目的 水素検出材料、及び水素検出材料としての使用を可能にする酸化タングステン薄膜を実現する製造技術の提供。
効果 スパッタリング法等により成膜された酸化タングステン薄膜の着色の濃度が薄い場合であっても、イオン照射により酸化タングステンの酸素欠陥が調整され、酸素欠陥の制御によって水素吸着による着色の濃度の改善が可能となる。
技術概要
この技術は、室温で水素を含んだ雰囲気に触れることにより光学的な透過率が変化する特性を利用して水素検知を行う光学式水素検出材料及びその材料用酸化タングステン薄膜の製造方法であって、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、或いは真空蒸着法により、基板表面上に酸化タングステン薄膜を形成させた後、酸化タングステン薄膜にイオン照射を行い、酸化タングステンの水素吸着による着色の濃度を改善する。ここで、イオン照射の条件は、イオン種をタングステンよりも軽い元素を使用すること、照射エネルギーを40eVから200eVにすること、イオン照射量を10↑(15)個以上から10↑(16)個以下にすることなどである。尚、水素検出材料における水素吸着による透過率の変化過程については、(1)水素分子が触媒部に吸着、(2)水素原子へ解離、(3)水素原子の着色部へ拡散、(4)着色部の透過率の変化(脱色又は着色)であるとされている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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