光学式水素ガス検出素子及びその製造方法と、その素子を使用した光学式水素ガス検知装置及び方法

開放特許情報番号
L2007003563
開放特許情報登録日
2007/8/3
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2005-311065
出願日 2005/10/26
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2007-121013
公開日 2007/5/17
登録番号 特許第4644869号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 光学式水素ガス検出素子及びその製造方法と、その素子を使用した光学式水素ガス検知装置及び方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 接触燃焼方式、半導体方式
目的 可燃性を有する水素ガスに対して、安全で、応答速度が速くかつ高感度に検出可能な光学式水素ガス検出素子及びその製造方法と、その光学式水素ガス検出素子を使って水素ガスを光学的に検知するための装置及び方法との提供。
効果 本技術による単斜晶(001)面に強く結晶配向した高配向性酸化タングステン薄膜は、スパッタリングを行う際の基板温度に対して耐性のあるガラスやプラスチック等の比較的安価な透明基板の表面に成膜することができるため、生産コストの低減に有利な大面積薄膜の製造も可能である。
技術概要
 
この技術では、高配向性酸化タングステン薄膜を透明基板の表面にスパッタリング法を用いて製造した。透明基板とターゲットを10cmの距離を離して配置した。透明基板とターゲットを含む雰囲気を、酸素ガス圧22mPa、アルゴンガス圧92mPaの混合減圧酸化雰囲気とした。投入スパッタリング電力は50W、基板温度は600℃として、スパッタリングを1時間行った。スパッタリング後に基板の一表面上に得られた酸化タングステン薄膜の厚さは0.6μmであった(堆積速度0.6μm/h)。次に、高配向性酸化タングステン薄膜の表面に、触媒金属であるパラジウムと白金を様々な厚さで堆積し、水素ガス検出感度の評価を行った。高配向性酸化タングステン薄膜から構成される光学的水素ガス検出素子は、透過光強度の変化率が95%以上であり非常に感度が高く、5秒以下で透過光強度が10%変化するという高い反応速度を持つ評価結果が示された。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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