蛍光X線分析法及び装置

開放特許情報番号
L2007002994
開放特許情報登録日
2007/6/15
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2007-027099
出願日 2007/2/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-191050
公開日 2008/8/21
登録番号 特許第5110562号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 蛍光X線分析法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 蛍光X線分析法、蛍光X線分析装置、材料開発、半導体デバイス開発
目的 物質表面からの深さ方向の元素分布情報を非破壊的に測定する測定法の提供。
効果 斜入射蛍光X線分析法において、入射X線の入射角度を変えた一連の深さ分布を持つ測定対象元素からの蛍光X線強度を測定し、その強度変化から、測定対象元素の物質表面からの深さ方向の元素分布情報を非破壊的に測定することができる。
技術概要
この技術では、斜入射蛍光X線分析法において、入射X線の入射角度を変えた一連の深さ分布を持つ測定対象元素からの蛍光X線強度を測定し、その強度変化から、測定対象元素の物質表面からの深さ方向の元素分布情報を、非破壊的に測定する。そして、測定対象元素Xからの単位原子あたりの蛍光X線強度が、入射X線角度と元素Xが存在する深さにより変わることを用いて、入射X線の入射角度を変えた一連の深さ分布を持つ測定対象元素からの蛍光X線強度を測定し、その強度変化情報を得て、この蛍光X線強度の入射角度依存性を解析することで、物質表面からの深さ方向の元素分布情報を、非破壊的に測定する。この測定においては、入射角度が臨界角の1.5倍より小さい領域と臨界角の1.5倍より大きい領域での測定対象元素の蛍光X線強度を測定することで、元素の深さに関する情報と元素の存在量に関する情報を得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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