スイッチング素子

開放特許情報番号
L2007002930
開放特許情報登録日
2007/6/8
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2005-235131
出願日 2005/8/15
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-053125
公開日 2007/3/1
登録番号 特許第4854233号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 スイッチング素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 スイッチング素子
目的 大きく異なる2つの安定した抵抗特性を可逆的かつ反復的に示す、高度集積化した不揮発性メモリへ適用可能なスイッチング素子を提供する。
効果 単一種の中心金属元素からなる金属酸化物として、フィラメントの存在確率分布の観点から、中心金属元素の選択や酸素の含有比率を制御することによって、該金属酸化物中に組成揺らぎを生じせしめ、読み出し余裕度を持たせる上で十分でかつ金属質フィラメントを生成しない1000〜10000倍と大きくかつ可逆的な抵抗特性における変化を実現した。
技術概要
2つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第1の閾値以上の電圧又は電流と、該第1の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第2の閾値以下の電圧又は電流と、該第2の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第3の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第3の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000〜10000倍変化せしめるスイッチング素子である。組成揺らぎを含む金属酸化物(A)は、銅酸化物CuO又は鉄酸化物Fe↓2O↓3の何れか一種である。更に好ましくは、成分Aは、酸素欠損型の銅酸化物CuO↓1↓−↓x(式中xは、0<x<1(但し、x=1/2のときを除く)の関係を満たすもの、酸素欠損型の鉄酸化物Fe↓2O↓3↓−↓y(式中yは、0<y<1(但し、y=1/3のときを除く)の関係を満たすもの等である。図は、スイッチング素子の電流−電圧特性の一例を示す図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 単一種の中心元素からなる金属酸化物結晶中に組成の揺らぎを積極的に導入したことにより、安定したセット・リセット電位を実現し、デバイスの誤作動の低減を実現するとともに、商用メモリとしての利用にも耐えうる十分な耐久性をも実現した。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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