有機電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2007002892
開放特許情報登録日
2007/6/1
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2007-020921
出願日 2007/1/31
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-187096
公開日 2008/8/14
登録番号 特許第4883410号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機電界効果トランジスタ、ウェットプロセス
目的 ウェットプロセスでありながら素子内部の分子の秩序性を向上し、電流密度を向上することができる有機電界効果トランジスタの提供。
効果 溶液中にMnO↓2微粒子を添加することにより電界効果トランジスタの電流密度向上を行うことができる。これにより、生産性の低下、高コストを伴うドライプロセスを用いず、ウェットプロセスによる簡易的、高性能の有機電界効果トランジスタの生産法を提供することができる。
技術概要
 
この技術では、基板上に、少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、半導体層にMnO↓2微粒子を含有するものとする。また有機半導体層を、ウェットプロセスにより作製したものとする。さらに、電界効果トランジスタが、有機半導体層を作製後、加熱処理により特性を向上したものとする。半導体層に含有するMnO↓2微粒子の粒径は、半導体層の厚さ未満が好ましく、具体的には、10nm〜20μm程度の粒径のものを用いる。半導体層は、MnO↓2微粒子を含有するが、半導体材料としては各種公知のウェットプロセスで形成可能な半導体材料であり、例えば微結晶のペンタセン、オリゴチオフェン、ポリチオフェン、フルオレンービチオフェン共重合体、フラーレン、カーボンナノチューブ等を用いることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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