マスクパターン設計方法および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2007002879
開放特許情報登録日
2007/6/1
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-555036
出願日 2008/1/18
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2008/090816
公開日 2008/7/31
登録番号 特許第4883591号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 マスクパターン設計方法および半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 マスクパターン設計技術、半導体装置、半導体デバイス
目的 光近接効果補正(OPC)処理時間の短縮を実現することのできるマスクパターン設計方法の提供。
効果 セル内外への光強度の回折ピークを抑えることができ、OPEに起因するセルのパターン変動を抑えることができる。これにより、セル配置後のOPC補正量を少なくすることができるので、OPC処理時間を短縮することができる。また、これにより、半導体装置の製造TATを短縮することができるので、半導体装置の製造コストを削減することができる。
技術概要
この技術では、マスクパターン設計方法は、光近接効果補正(OPC)処理されたセルライブラリを用いてマスクパターンを設計する際、セルに形成されたパターンによって発生する光近接効果(OPE)を抑制するOPEキャンセラーをセルの一部に生成する。OPEキャンセラーは、セルのパターンと共にフォトマスク上に形成されるが、ウエハ上には転写されない微小パターンの集合体からなる。微小パターンの配置、数、形状および光透過率などは、セル単位でのOPC処理と同時またはこのOPC処理後に、遺伝的アルゴリズムなどの確率的探索手法、山登り法などの局所最適化手法、あるいはランダムサーチ法などを用いて適宜調整する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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