III−V族化合物半導体発光ダイオード

開放特許情報番号
L2007002854
開放特許情報登録日
2007/6/1
最新更新日
2015/10/30

基本情報

出願番号 特願2007-003933
出願日 2007/1/11
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-214558
公開日 2007/8/23
登録番号 特許第4998701号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 III−V族化合物半導体発光ダイオード
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 省エネルギー、長寿命、照明表示用の光源、内部量子効率、光の外部への取り出し効率、結晶成長技術
目的 金属電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII−V族化合物半導体を材料とする高効率発光ダイオードの提供、また、発光ダイオードの光出力パワーはチップの面積に比例して増大するため、単一のチップから高い光出力パワーが容易に得られるIII−V族化合物半導体を材料とする高効率発光ダイオードの提供。
効果 バンドギャップエネルギーのより低い結晶面から放射される光の放射経路を避けるように、バンドギャップエネルギーのより高い結晶面に電流注入のための金属電極を形成し、電流注入領域と発光領域を空間的に分離したので、金属電極による光の遮蔽がほとんどない発光ダイオードが得られる。また、凸形の断面形状を有する基板を使用しているので、全反射の臨界角より小さい角度で表面に入射する光の割合が増加し、半導体と空気の界面での全反射をも効果的に抑えることが可能になる。
技術概要
この技術は、複数の結晶面を有する基板上にエピタキシャル成長させた成長層に少なくとも障壁層および活性層を有するIII−V族化合物半導体発光ダイオードにおいて、成長層が、成長層の少なくとも活性層が面内方向においてバンドギャップエネルギーの異なる複数の結晶面を有し、複数の結晶面のうちバンドギャップエネルギーのより高い結晶面に電流注入のためのオーミック電極が形成されているものとする。さらに、複数の結晶面を有する基板上にエピタキシャル成長させた成長層に少なくとも障壁層および活性層を有するIII−V族化合物半導体発光ダイオードにおいて、成長層が、成長層の少なくとも活性層が面内方向においてバンドギャップエネルギーの異なる複数の結晶面を有し、複数の結晶面のうちバンドギャップエネルギーのより高い結晶面に電流注入のための第1のオーミック電極が形成され、さらに、基板を成長層から除去した後のバンドギャップエネルギーのより高い結晶面に、電流注入のための第2のオーミック電極が形成されているものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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