高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法

開放特許情報番号
L2007002851
開放特許情報登録日
2007/6/1
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2007-001141
出願日 2007/1/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-169053
公開日 2008/7/24
登録番号 特許第4665175号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 溶液センサー、ガスセンサーや色素増感型太陽電池用などのZnOデバイス
目的 酸化亜鉛を析出する反応系に、エチレンジアミンなどを添加して、温度などの条件を調整する事により、析出させた酸化亜鉛の高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜と、それを作製する方法を提供する。
効果 c軸以外も含めた配向性、高比表面積、転写可能膜、シート集積体などの特性を有する、ZnO(結晶又はアモルファス)物質、あるいはこれらの混合物の配向性ZnO結晶膜を得る事が出来る。
技術概要
酸化亜鉛が析出する反応系に、エチレンジアミン又はアンモニアを添加し、温度、時間及びpHを調整して保持した後、放冷又は冷却し、酸化亜鉛を析出させて、反応系の液面に浮遊した配向性ZnO結晶膜の自立膜又は転写可能膜を形成させる。析出する反応系は、亜鉛含有水溶液又はエタノール、メタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン等の、非水溶液反応系の有機溶媒溶液などで、水熱反応等とする事も出来る。更に、硝酸亜鉛を原料として用いた場合には、エチレンジアミンに代えて、アンモニア、ジメチルアミンボラン等を用いて、温度(例えば、0〜99℃)や原料濃度、pHを変化させて、ZnOを析出させる事が出来る。析出させたZnO膜は、ZnO結晶のX線回折パターンで、c軸に垂直な面からの0002回折線(2θ=34.04°)の相対強度が高い高c軸配向ZnO結晶膜とさせる事が出来る。これをPETフィルムや、平板のガラス基板などの上にすくい取って、太陽電池やセンサーなどに利用できるZnO自立膜を基板上に転写させる事が出来る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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