酸化シリコン薄膜の製造装置及び形成方法

開放特許情報番号
L2007002832
開放特許情報登録日
2007/6/1
最新更新日
2015/9/15

基本情報

出願番号 特願2006-346861
出願日 2006/12/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-159824
公開日 2008/7/10
登録番号 特許第5177617号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化シリコン薄膜形成装置
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 酸化シリコン薄膜の製造装置
目的 可塑性を有するプラスチック基板等に対して、基板の耐熱温度以下における低温印刷プロセスにより、現在電子デバイスとして使用されているものと同等の高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜を用いる半導体薄膜素子及びその形成方法を提供する。更に、薄膜形成方法を効率的に行い、ロールトゥロール法等の簡便、低コストの印刷手法によって高速かつ大量の半導体薄膜素子を生産する装置を提供する。
効果 この製造装置及び製造方法により得られる薄膜トランジスタは、耐熱温度200℃程度の可塑性の高いプラスチックフィルム等に印刷手法によって作製できるものであり、従来の真空プロセスでは困難であった低温かつ常圧下での連続製膜を可能とすることから、大面積及びフレキシブルデバイスの簡便かつ低コストな手段での大量生産を実現する。
技術概要
薄膜形成装置の概念図を図1に示す。前処理部には基板洗浄手段及び基板表面改質手段を有する基板前処理装置50が備えられている。塗設部にはケイ素化合物を成分の一部又は全部とする液体を基板上に塗布する手段を有する塗布膜形成装置40が備えられている。乾燥部には加熱又は減圧によって塗布膜の全部又は一部を乾燥するための乾燥装置60が備えられている。反応部には制御されたガス雰囲気を満たすためのガス導入管60とガス排出管70が備えられている。更に、雰囲気ガスの反応部の外への流出を防ぐためのガス遮断カーテン80を通じて搬入された基板上の塗布膜に塗設面直上方より紫外光線を照射する手段を有する紫外光ランプ20及び基板及び基板上の薄膜をある温度に保持するための加熱、場合によっては光照射によって機材の温度が耐熱温度以上まで上昇するような場合には基板を冷却するための手段を有する温度保持装置30が備えられている。図2は作製した絶縁膜の赤外吸収スペクトル図、図3は作製した酸化シリコン薄膜の抵抗率−電界強度特性図を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 従来の有機物塗布膜から形成される半導体素子と異なり、より高い絶縁性能、耐電圧、信頼性を有する金属酸化物で素子を構成することにより素子の微細化、長寿命化、安定性向上をもたらす。また、多層構造化により製造される薄膜は、基板や電極表面の性状に因らず高品質の薄膜素子の作製を可能とする。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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