薄膜製造方法

開放特許情報番号
L2007002800
開放特許情報登録日
2007/6/1
最新更新日
2008/7/25

基本情報

出願番号 特願2006-329005
出願日 2006/12/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-147214
公開日 2008/6/26
発明の名称 薄膜製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 デバイスに応用される薄膜の製造に適用する。
目的 特定の条件下における電子ビーム蒸着法による薄膜製造方法を提供する。
効果 結晶c軸を基板面内の一方向に配向させることが可能になる。
技術概要
電子ビーム蒸着法によって基板10に薄膜を堆積させつつ、基板10に対してイオンビームを照射するとともに、基板10とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板10上に薄膜を形成する薄膜製造方法にする(図)。薄膜の原料としては、ウルツ鉱型の結晶が好ましく、ウルツ鉱型以外の六方晶系の結晶、さらには立方晶系や斜方晶系などのその他の晶系に属する結晶も使用でき、それらの中でも特に圧電性が高く薄膜化が容易な酸化亜鉛が好適に使用される。尚、薄膜の形成は、反応容器2内の成膜中の圧力が0.01〜0.04Paで、ヒータ5を作動させて基板10を温度200〜400℃に加熱保持し、イオンビームの加速電圧を100〜2000Vとする条件下行なわれる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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