| 出願番号 |
特願2004-331103 |
| 出願日 |
2004/11/15 |
| 出願人 |
国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 |
特開2006-138821 |
| 公開日 |
2006/6/1 |
| 登録番号 |
特許第4621908号 |
| 特許権者 |
国立大学法人京都大学 |
| 発明の名称 |
表面状態計測方法、表面状態計測装置、顕微鏡、情報処理装置 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、検査・検出 |
| 適用製品 |
表面状態計測装置、顕微鏡、情報処理装置 |
| 目的 |
従来の原子間力顕微鏡において重要であったプローブと試料間距離の制御ではなく、２本以上の複数のプローブにおいて、それぞれのプローブとプローブとの距離間を制御することで、分子材料などのナノスケールでの諸特性（前記電気特性、光学特性、磁気特性、機械的剛性など）を精度良く計測できる位置制御の手法を備えた表面状態計測方法、表面状態計測装置、それを用いた顕微鏡および情報処理装置を提供する。 |
| 効果 |
計測対象物と対向する複数のプローブをそれぞれ移動させて、各プローブ間の相対位置を制御するための第一制御部を備えているので、複数のプローブの位置制御をそれぞれ行うことができ、分子レベルや原子レベルの計測に至るギャップ長を安定に制御できることになるため、計測対象物の表面状態をナノメートルスケールにて安定に計測できる。 |
技術概要
 |
面状態計測装置では、図１に示すように、計測対象物１と対向するように複数のプローブ２（図１では一つのみ記載）が設けられている。計測対象物１は、図１に示すｘ−ｙ方向（つまり計測対象物１の表面と略平行な水平方向）に二次元にて移動する載置台３上に装着されている。また、載置台３を駆動するためのスキャン部４がプローブ駆動部として取り付けられている。スキャン部４を制御するための制御信号を生成するスキャンシステム５が設けられている。また、表面状態計測装置では、プローブ２の位置（特にｚ方向での）を光学的（光てこ法）に検出するための半導体レーザ１０、ミラー１１およびフォトダイオード１２が装着されている。さらに、表面状態計測装置においては、電気信号が入力されて、電気信号からプローブ２の位置情報信号から、計測対象物１の表面形状（表面状態）を算出して示す形状信号を出力する計測部１３と、表面形状を形状信号に基づき表示するためのディスプレイ１４と、そのディスプレイ１４のためのビデオＲＡＭであるメモリ１５とが設けられている。図２は表面状態計測装置を用いた、表面状態計測方法を示す模式正面図である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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