表面状態計測方法、表面状態計測装置、顕微鏡、情報処理装置

開放特許情報番号
L2007002730
開放特許情報登録日
2007/5/25
最新更新日
2010/12/17

基本情報

出願番号 特願2004-331103
出願日 2004/11/15
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2006-138821
公開日 2006/6/1
登録番号 特許第4621908号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 表面状態計測方法、表面状態計測装置、顕微鏡、情報処理装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 表面状態計測装置、顕微鏡、情報処理装置
目的 従来の原子間力顕微鏡において重要であったプローブと試料間距離の制御ではなく、2本以上の複数のプローブにおいて、それぞれのプローブとプローブとの距離間を制御することで、分子材料などのナノスケールでの諸特性(前記電気特性、光学特性、磁気特性、機械的剛性など)を精度良く計測できる位置制御の手法を備えた表面状態計測方法、表面状態計測装置、それを用いた顕微鏡および情報処理装置を提供する。
効果 計測対象物と対向する複数のプローブをそれぞれ移動させて、各プローブ間の相対位置を制御するための第一制御部を備えているので、複数のプローブの位置制御をそれぞれ行うことができ、分子レベルや原子レベルの計測に至るギャップ長を安定に制御できることになるため、計測対象物の表面状態をナノメートルスケールにて安定に計測できる。
技術概要
面状態計測装置では、図1に示すように、計測対象物1と対向するように複数のプローブ2(図1では一つのみ記載)が設けられている。計測対象物1は、図1に示すx−y方向(つまり計測対象物1の表面と略平行な水平方向)に二次元にて移動する載置台3上に装着されている。また、載置台3を駆動するためのスキャン部4がプローブ駆動部として取り付けられている。スキャン部4を制御するための制御信号を生成するスキャンシステム5が設けられている。また、表面状態計測装置では、プローブ2の位置(特にz方向での)を光学的(光てこ法)に検出するための半導体レーザ10、ミラー11およびフォトダイオード12が装着されている。さらに、表面状態計測装置においては、電気信号が入力されて、電気信号からプローブ2の位置情報信号から、計測対象物1の表面形状(表面状態)を算出して示す形状信号を出力する計測部13と、表面形状を形状信号に基づき表示するためのディスプレイ14と、そのディスプレイ14のためのビデオRAMであるメモリ15とが設けられている。図2は表面状態計測装置を用いた、表面状態計測方法を示す模式正面図である。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 計測対象物の表面状態をナノメートルスケールにて安定に計測できるので、原子間力顕微鏡といった顕微鏡や、メモリといったストレージデバイスである情報処理装置に用いると、顕微鏡の分解能を向上でき、また、情報処理装置の情報処理量を改善できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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