高次成分を消去可能な光振幅変調システム

開放特許情報番号
L2007002512
開放特許情報登録日
2007/5/11
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願2005-251832
出願日 2005/8/31
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2007-067876
公開日 2007/3/15
登録番号 特許第4552032号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 高次成分を消去可能な光振幅変調システム
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 高次成分を消去可能な光振幅変調システム
目的 3次成分などを抑圧でき、高い消光比が得られる新規な光振幅変調システムを提供する。
効果 キャリア成分(f↓0)や高次成分(例えば2次成分(f↓0±2f↓m))などを抑圧でき、高い消光比を得られる光振幅変調システムを提供できる。
技術概要
図1は光振幅変調システムの概略構成図である。図2は光振幅変調システムの信号源部を示すブロック図である。光搬送波抑圧両側波帯(DSB−SC)変調システム1は、3倍信号生成部17が、基本信号f↓mの3倍の周波数を有する電気信号3f↓mを生成する。そして、位相調整部18が基本信号f↓mの位相と、基本信号の3倍の周波数を有する電気信号3f↓mの位相差を調整する。信号強度調整部19が電気信号3f↓mの強度を調整する。そして、変調信号としてf↓mの信号を印加した際に発生する3次成分f↓0±3f↓mについて、変調信号として3f↓mの信号をその1次成分f↓0±3f↓mが3次成分と位相が逆で、強度が同程度となるように調整して印加するので、それらが抑圧しあって、高い消光比を有するDSB−SC変調を達成できる。図3は光振幅変調システムの好ましい実施態様を示す概略図、図4はDSB−SC変調システムにおける光信号の強度と位相の状況を説明するための概念図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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