分子デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2007002509
開放特許情報登録日
2007/5/11
最新更新日
2007/5/11

基本情報

出願番号 特願2006-221104
出願日 2006/8/14
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2007-069342
公開日 2007/3/22
発明の名称 分子デバイスの製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 分子デバイス
目的 結合性残基を周囲に持つ分子構造体に光を照射し、光化学過程や光物理過程を利用して、分子周囲、もしくは分子構造体同士を選択的かつ効率的に連結させ、分子レベルで結合様式を制御した分子集合体の製造方法を提供し、各種三次元的高密度分子デバイスの作製が容易となる。
効果 ナノパーティクルやナノワイヤを効率的に製造できる。ボトムアップ型の設計により分子デバイスを適切に製造できる。このナノパーティクルやナノワイヤは、液晶材料、機能性材料、電子機能性材料、触媒、ナノレベル電子素子、ナノレベルFET、トナー原料、帯電制御剤、電荷付与剤などプラスチックの副剤光、ドラッグデリバリーシステムなどとして利用可能である。このナノワイヤは、数nm〜数100nmレベルの周期性を利用した、超高密度記憶材料、発光素子等で利用可能である。
技術概要
4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノンを包接した式(図1)(式において、nは3以上10以下の数を示す。)で示される化合物からなる薄膜に、波長が365nmの光を照射する工程を含む、架橋反応部分によって形成された殻構造を有する分子構造体が複数個連結されて形成される分子集合体の製造方法である。図2は、この製造方法によって製造され得る分子デバイスである単一電子トランジスタ(SET)を表す概図である。図2において、1は分子素子として機能しうる分子構造体を表し、5は、架橋剤を表し、9は架橋反応部分を表し、11は電極を表す。図2に示されるSETの製造では、まず、50nm程度の間隔をもった電極11を用意する。この電極11の間隔は、10nm〜1μm程度とすることができる。その後、その電極間を連結するように、両極(正対照の位置)に結合性残基を有するデンドリマー、増感剤及び架橋剤を有する溶液を用意する。その後、デンドリマーを有する溶液に光を照射する。すると、図2に示されるような分子デバイス(SET)を得ることができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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