金属ナノチューブ製造装置および金属ナノチューブの製造方法

開放特許情報番号
L2007002366
開放特許情報登録日
2007/4/13
最新更新日
2009/12/4

基本情報

出願番号 特願2005-514928
出願日 2004/10/13
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 WO2005/040460
公開日 2005/5/6
登録番号 特許第4374439号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 金属ナノチューブ製造装置および金属ナノチューブの製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属ナノチューブ
目的 短時間で高品質の金属ナノチューブを製造することのできる製造装置および製造方法を提供する。
効果 Ni、Pt、Pd、Rh、Ru、Co、Feやこれらの合金、あるいはNi、Znなどをはじめとする合金系などからなる金属ナノチューブを、通常の電気化学的プロセスによって、簡便かつ安価に製造することができる。
技術概要
図1に示す金属ナノチューブ製造装置は、陰極2および陽極6を対向配置し、陰極2上には多孔膜4が設けられている。多孔膜4には貫通孔4aが多数設けられている。これら陰極2、多孔膜4および陽極6は、容器20内に収容され、陰極2と陽極6とのあいだの空間8および多孔膜4の貫通孔4aが電解液で満たされている。このように構成された金属ナノチューブ製造装置において、陰極2および陽極6を電源10に接続して電圧を印加すると、電解液中の金属イオンが陰極側に移動し、貫通孔4aの壁面に析出して金属ナノチューブが形成される。陰極2は、厚さ10−80nmの金属薄膜であり、金、銅、金系合金、銅系合金または白金−パラジウム合金からなる。また、陽極6は、ニッケル、コバルト、鉄、またはこれらの合金からなり、貫通孔4aの直径が、15−500nmである金属ナノチューブ製造装置である。多孔膜4としては、貫通孔を多数設けたポリカーボネート等の熱可塑性樹脂多孔膜や、アルミナ多孔膜、アルミニウム陽極酸化膜などのセラミック系多孔膜を用いることもできる。図2に示す、陰極2において発生した水素ガスにより高圧気泡部Zが形成され金属ナノチューブが成長する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 貫通孔の底部において陰極である金属薄膜が円環状に露出しているため、これが起点となって良好に金属ナノチューブが形成される。
改善効果2 貫通孔の底部付近で水素ガスが発生して滞留するため、金属ナノチューブが貫通孔に沿ってよく成長し、径が小さくて長さが長い、すなわち工業上の利用に有利な高アスペクト比の金属ナノチューブを製造することができる。
改善効果3 貫通孔の壁面に金属ナノチューブが形成されるため、得られる金属ナノチューブの形状は、貫通孔の径と内部形状によってほぼ決定される。通電開始とともに陰極の付近に金属が析出し、貫通孔の壁面に沿って成長することにより金属ナノチューブが形成されていくため、通電時間を適宜調節することにより所望の長さの金属ナノチューブを得ることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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