カルボキシル基含有配位高分子を用いたイオン伝導材料

開放特許情報番号
L2007002365
開放特許情報登録日
2007/4/13
最新更新日
2010/4/9

基本情報

出願番号 特願2005-252884
出願日 2005/8/31
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2007-063448
公開日 2007/3/15
登録番号 特許第4452830号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 カルボキシル基含有配位高分子を用いたイオン伝導材料
技術分野 有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 固体電解質
目的 固体電解質のイオン伝導度に関与する自由イオン(特に、リチウムイオン、Li+)の担持効率が向上した、主鎖有機化合物に自由イオンと金属イオンとが配位してなる配位高分子、ならびにそれを含む固体電解質を提供する。
効果 シングルイオン伝導による輸率が向上する。自由イオンが移動しやすく、伝導度が向上する。さらに、より空隙率が高く、自由イオンが移動しやすい規則的な3次元構造が実現可能となり、リチウム担持機能のより一層の効率向上がみられ、リチウムイオン電池として容量特性が向上する。
技術概要
図1に示す構造式で示される、金属イオンM↓B↑Q↑+と金属イオンM↓B↑Q↑+に配位可能な少なくとも2以上のアニオン性配位子L↓B↓1↑J↑−、L↓B↓2↑K↑−を有する有機化合物とが繰返し単位を構成する配位高分子であって、有機化合物は固体電解質の伝導種となるイオンを担持可能な置換基L↓Aを有することを特徴とする配位高分子である。さらにこの有機化合物の、イオン担持可能な置換基L↓Aの金属イオンM↓B↑Q↑+に対する配位力は、アニオン性配位子L↓B↓1↑J↑−、L↓B↓2↑K↑−の金属イオンM↓B↑Q↑+に対する配位力よりも弱い配位高分子である。金属イオンとしては、コバルト(II)イオン、ニッケル(II)イオン、銅(II)イオン、亜鉛(II)イオン、パラジウム(II)イオンおよびカドミウム(II)イオンなどが挙げられる。L↓Aは好ましくは、−SO↓3Hであり、LBは好ましくは、−COO−である。固体電解質は、配位高分子に自由イオンを担持させたもので、図2および図3に示す構造を持つ。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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