窒化物半導体共鳴トンネル電子放出素子

開放特許情報番号
L2007002261
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願2005-104680
出願日 2005/3/31
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2006-147518
公開日 2006/6/8
発明の名称 窒化物半導体共鳴トンネル電子放出素子
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 高密度電子源、電子線励起ディスプレー
目的 構造が簡単であり、且つ、発生した電子が電子放出部のみに走り、より低電圧で、高効率で高電子密度の電子放出が可能な窒化物半導体共鳴トンネル電子放出素子の提供。
効果 従来の電界放出型の電子放出源に比べ、低い駆動電圧で動作し構造も単純なため、他の電子素子とのマッチングが良く集積化も容易である。又、将来の低電圧動作電子線励起ディスプレーや電子線励起発光素子・照明機器の電子源として利用できる。
技術概要
この技術では、サファイア基板上へキャリヤ濃度2×10↑(18)cm↑(−3)程度のn型GaN層を2000nm成長させ、その上に3原子層のAlN層に続けて、20原子層のGaNと5原子層のAlN4周期からなるAlN/GaN多重障壁層を作製し、さらにキャリヤ濃度1×10↑(18)cm↑(−3)以下のn型GaN層を100nm成長させる。次に、電子放出部のGaNをドライエッチングにより50nm程度までエッチングした後、低抵抗n型GaN層を5nm堆積させ、幅4μmのストライプ状の電極を間隔10μmで配置する。なお、電極形状はストライプ状には限定されず、例えば、円環状、格子状、3角形などの多角形であってもよい。ここで、素子表面は+C面(Ga面)となっており、サファイア基板側が−C面(N面)となっている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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