広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造方法

開放特許情報番号
L2007002232
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2008/12/5

基本情報

出願番号 特願2003-418086
出願日 2003/12/16
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2005-183454
公開日 2005/7/7
登録番号 特許第4200213号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 広域エネルギーレンジ放射線検出器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 X線、高エネルギーの電磁波、半導体素子、軟X線、硬X線、検出素子
目的 軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であることの改善。
効果 Si基板とCdTe(またはCdZnTe)基板とをタンデムに配置し、Si基板側からX線を入射すると、軟X線はSi基板の内部で吸収されるが、硬X線はSi基板を透過しCdTe(またはCdZnTe)基板の内部に浸透し消滅する。それぞれの基板に電極を設けることにより、X線の消滅に伴う電荷を検出できる。
技術概要
この技術は、広域エネルギーレンジのためにタンデム構造を採用することに基づく。IV族の半導体としてSi(シリコン)を軟X線検出に用いるとともに、II−VI族の半導体としてCdTe(カドミウム・テルル)またはCdZnTe(カドミウム・ジンク・テルル)を硬X線検出に用いるものとする。この2材料をIII族のIn(インジウム)で接着する。接合時において、接合面にInをはさみ込み加熱圧着することにより、CdTe側はn型半導体となり、Si側はp型半導体となる。タンデム構造を採用する際に、接着材料としてInを用いることによって、両半導体における不純物金属としての効果をも有することとなり、CdTe−pin(p型−insulator−n型)半導体と、Si−pin半導体とを直列に接続する構造が容易に作成できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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