| 出願番号 |
特願2003-418086 |
| 出願日 |
2003/12/16 |
| 出願人 |
国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 |
特開2005-183454 |
| 公開日 |
2005/7/7 |
| 登録番号 |
特許第4200213号 |
| 特許権者 |
国立大学法人静岡大学 |
| 発明の名称 |
広域エネルギーレンジ放射線検出器 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、検査・検出 |
| 適用製品 |
Ｘ線、高エネルギーの電磁波、半導体素子、軟Ｘ線、硬Ｘ線、検出素子 |
| 目的 |
軟Ｘ線及び硬Ｘ線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であることの改善。 |
| 効果 |
Ｓｉ基板とＣｄＴｅ（またはＣｄＺｎＴｅ）基板とをタンデムに配置し、Ｓｉ基板側からＸ線を入射すると、軟Ｘ線はＳｉ基板の内部で吸収されるが、硬Ｘ線はＳｉ基板を透過しＣｄＴｅ（またはＣｄＺｎＴｅ）基板の内部に浸透し消滅する。それぞれの基板に電極を設けることにより、Ｘ線の消滅に伴う電荷を検出できる。 |
技術概要
 |
この技術は、広域エネルギーレンジのためにタンデム構造を採用することに基づく。ＩＶ族の半導体としてＳｉ（シリコン）を軟Ｘ線検出に用いるとともに、ＩＩ−ＶＩ族の半導体としてＣｄＴｅ（カドミウム・テルル）またはＣｄＺｎＴｅ（カドミウム・ジンク・テルル）を硬Ｘ線検出に用いるものとする。この２材料をＩＩＩ族のＩｎ（インジウム）で接着する。接合時において、接合面にＩｎをはさみ込み加熱圧着することにより、ＣｄＴｅ側はｎ型半導体となり、Ｓｉ側はｐ型半導体となる。タンデム構造を採用する際に、接着材料としてＩｎを用いることによって、両半導体における不純物金属としての効果をも有することとなり、ＣｄＴｅ−ｐｉｎ（ｐ型−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｎ型）半導体と、Ｓｉ−ｐｉｎ半導体とを直列に接続する構造が容易に作成できる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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