酸化物超電導バルク体の製造方法

開放特許情報番号
L2007002210
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2011/7/1

基本情報

出願番号 特願2005-151580
出願日 2005/5/24
出願人 公益財団法人鉄道総合技術研究所
公開番号 特開2006-306692
公開日 2006/11/9
登録番号 特許第4690774号
特許権者 公益財団法人鉄道総合技術研究所
発明の名称 酸化物超電導バルク体の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 トップシード溶融凝固法、ファセット、温度勾配冷却、製造効率
目的 1回目のトップシード溶融凝固法においてはファセットの成長が失敗した試料を再利用して再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができるとともに、100時間を超える徐冷処理による結晶成長が必要であったものを数時間〜10数時間程度の短い時間で結晶成長可能とする技術の提供。
効果 1回目のトップシード溶融凝固法においてはファセットの成長が失敗した試料を再利用して最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる。複数段のステップで等温保持させながら徐々にステップ毎に温度を下げつつ加熱処理することで、単に緩い温度勾配で徐冷して結晶成長させるよりも遙かに早く結晶成長させることができる。
技術概要
この技術は、酸化物超電導体の前駆体を加熱して半溶融状態とした後に冷却し、前駆体上に設置されている種結晶の結晶構造を基に先の半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とするトップシード溶融凝固法によってファセットを成長させた酸化物超電導バルク体を製造する方法であって、1回目のトップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、2回目のトップシード溶融凝固法を実施するとともに、この2回目のトップシード溶融凝固法を実施するにあたり、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施す。結晶成長のための保持温度の段階的ステップ数を3〜8の範囲、各ステップの温度差を2℃±1℃とすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT