磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法

開放特許情報番号
L2007002053
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願平11-040804
出願日 1999/2/19
出願人 名古屋大学長
公開番号 特開2000-239887
公開日 2000/9/5
登録番号 特許第3049315号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法
技術分野 金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 電解状態、析出膜、結晶方位、磁性材料、強磁性体、非磁性体、基板上に薄膜を成長させる方法
目的 適用が特定の物質に限られるという問題、また、熱力学的に安定な結晶方位を有する電析・無電解析出膜を成長させることはできるけれども、それ以外の特定の結晶方位に配列した電析・無電解析出膜を成長させることができないという問題を改善する、適用物質のみならず、析出膜の結晶方位が特に制限されることのない、電析または無電解析出膜の結晶方位の有利な制御方法の提案。
効果 電解状態にある物質、例えば金属等の各種物質のイオンに、磁場を作用させることにより、電析または無電解析出させた膜の結晶方位を所望の方位に効果的に制御することができる。かくして、例えば耐食性や耐摩耗性の優れた金属表面を選択的に成長させることが可能なだけでなく、熱電変換効率の高い熱電材料を生成させることもでき、その応用範囲は極めて多面的といえる。
技術概要
この技術は、電解状態(イオン状態)の物質を基板上に電析または無電解析出させるに際し、析出膜における所望結晶方位に応じて、基板の設置姿勢および電析または無電解析出環境に対する磁場の印加方向を選択する、磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法である。物質の結晶は磁気異方性を備えているので、磁場を印加しながら電析または無電解析出させると、電析または無電解析出した物質の結晶は磁化率の大きい結晶方位の方向が印加磁場の方向と平行に配列して基板上に電析または無電解析出する。従って、基板上で電析または無電解析出する物質が望ましい結晶方向に配向するように磁場を印加すると、所望方位の析出膜が得られるのである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT