半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法

開放特許情報番号
L2007002037
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願2002-280182
出願日 2002/9/26
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2004-119168
公開日 2004/4/15
登録番号 特許第3864222号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子線、フラットパネルディスプレイ、液晶表示装置、プラズマ表示装置、冷陰極材料
目的 電子エミッタなどの電子線源として好適に用いることのできる半導体素子構造及び半導体素子構造の製造方法の提供。
効果 ティップを構成する島状構造部が窒化物系半導体から形成されており、その電子親和力が比較的小さいために、曲率半径が200nmでも、駆動電圧を45V程度に低減することができる。この結果、ティップ先端にかかる負荷が小さく、ティップ寿命を増大させることができる。
技術概要
この技術は、電子エミッタにおいて用いる半導体素子構造であって、電子エミッタの導電性基板としての(111)面n型シリコン基板と、シリコン基板の主面上に形成され、主面が露出するようにして形成された開口部を有し、この開口部内に露出したシリコン基板の主面からヘテロエピタキシャル成長を選択的に可能とするマスク層と、開口部内に、へテロエピタキシャル成長を通じて自己形成的に形成され、(111)面n型シリコン基板の結晶方位によって決定された(1−101)のファセット面を側面とする第1の窒化物系半導体からなる六角錐形状の島状構造部であり、第1の窒化物系半導体がAl↓(x1)Ga↓(y1)N(x1+y1=1、0≦x1≦1、0≦y1≦1)なる組成を有する島状構造部と、シリコン基板の主面と島状構造部との間の開口部における第2の窒化物系半導体からなる緩衝層であり、第2の窒化物系半導体がAl↓(x2)Ga↓(y2)N(x2+y2=1、0≦x2≦1、0≦y2≦1)なる組成を有する緩衝層とを具え、島状構造部が電子エミッタのティップを構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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