シリコンゲルマニウム膜の作製方法、エピタキシャル成長用基板、多層膜構造体及びヘテロ接合電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2007002034
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願2002-335165
出願日 2002/11/19
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2004-172276
公開日 2004/6/17
登録番号 特許第3851950号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 シリコンゲルマニウム膜の作製方法、エピタキシャル成長用基板、多層膜構造体及びヘテロ接合電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 半導体装置、歪シリコンチャネルを有する電界効果トランジスタ、キャリア移動度、歪緩和メカニズム、転位の変位ベクトル
目的 シリコンゲルマニウム膜上にシリコン膜を形成してヘテロ接合電界効果トランジスタ構造を作製しようとしても、シリコン膜には引張歪みが等方的に負荷されなくなり、シリコン膜におけるバンド構造変調が局所的に変化して、目的とする高いキャリア移動度を実現することができないという問題に鑑みた、シリコンゲルマニウム膜中の内部歪みを等方的かつ均一に緩和させることの実現。
効果 シリコンゲルマニウム膜の作製方法及びエピタキシャル成長用基板によれば、シリコンゲルマニウム膜中の内部歪みを等方的かつ均一に緩和させることができる。したがって、エピタキシャル成長用基板、すなわちシリコンゲルマニウム膜上にシリコン膜を形成して、ヘテロ接合電界効果トランジスタ構造を作製した場合において、シリコン膜に対して等方的かつ均一な引張歪みを負荷することができる。その結果、シリコン膜のキャリア移動度は向上し、チャネル層として十分に機能するようになる。
技術概要
この技術は、シリコン基板上に形成されたシリコンゲルマニウム膜の、少なくともシリコン基板側において、60°転位に代えて90°転位を形成するようにすることにより、シリコンゲルマニウム膜の結晶格子はモザイク構造を呈することなく、等方的となり、その結果、シリコンゲルマニウム膜中の内部歪みが等方的かつ均一に緩和されることに基づく。すなわち、シリコン基板を準備する工程と、シリコン基板上に、ゲルマニウムを含む界面層を形成する工程と、界面層上にシリコンゲルマニウム膜を形成する工程とを具え、シリコンゲルマニウム膜の、少なくともシリコン基板側に90°転位を含むようにするシリコンゲルマニウム膜の作製方法とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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