細線構造の作製方法、多層膜構造体、及び多層膜中間構造体

開放特許情報番号
L2007002031
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願2003-042275
出願日 2003/2/20
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2004-253607
公開日 2004/9/9
登録番号 特許第3878997号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 細線構造の作製方法、多層膜構造体、及び多層膜中間構造体
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体デバイス工学、細線構造、配線パターン、フォトレジスト、微細パターン
目的 多層構造の配線パターンを正確に作製することは困難であることに基づいた、配線パターンなどの微細構造を極めて簡易な手法を用いて正確に形成することの実現。
効果 複雑なパターン形成技術を用いることなく、歪緩和シリコンゲルマニウム層を利用するのみで、界面、すなわちシリコン基材上に所望の微細構造を形成できる。
技術概要
この技術は、所定のシリコン基材を準備する工程と、シリコン基材上に、貫通転位を有し歪み緩和されたシリコンゲルマニウム層を形成する工程と、シリコンゲルマニウム層上に金属層を形成し、シリコン基材、シリコンゲルマニウム層、及び金属層からなる多層膜中間構造体を作製する工程と、多層膜中間構造体に対して加熱処理を施し、金属層中の金属元素をシリコンゲルマニウム層中の貫通転位を介して拡散させ、シリコン基材とシリコンゲルマニウム層との界面における貫通転位が存在する領域において、金属シリサイドからなる細線構造を形成する工程とを具え、シリコンゲルマニウム層中のゲルマニウム濃度が20原子%〜70原子%とする、細線構造の作製方法とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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