コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及びコバルトシリサイド膜作製用の多層膜中間構造体

開放特許情報番号
L2007002030
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願2003-042521
出願日 2003/2/20
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2004-253621
公開日 2004/9/9
登録番号 特許第3700004号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 コバルトシリサイド膜の作製方法、コバルトシリサイド膜、及びコバルトシリサイド膜作製用の多層膜中間構造体
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 半導体デバイス工学、金属/半導体接合、大規模集積回路技術、低接触抵抗
目的 コバルトシリサイド膜を形成した場合、膜は多結晶となり、シリコン基板とコバルトシリサイド膜との界面には結晶粒界に沿って数nm〜数十nmの凹凸が生じ、このような界面の粗れは、ナノメートルスケールの極微細デバイス構造を作製する場合は致命的な欠陥となり、コバルトシリサイド膜を用いた場合、極微細デバイス構造の実現することはできないことに鑑みた、平坦な界面を有するコバルトシリサイド膜を作製することの実現。
効果 表面(界面)平坦性に優れ、高い被覆率を呈するコバルトシリサイド膜を得ることができる。
技術概要
この技術は、シリコン基材を準備する工程と、シリコン基材上にアルミニウム含有中間層を形成する工程と、アルミニウム含有中間層上にコバルト含有膜を形成して多層膜中間構造体を作製する工程と、多層膜中間構造体に対して熱処理を施し、コバルトシリサイド膜を形成する工程と、を具えるコバルトシリサイド膜の作製方法とする。アルミニウム含有中間層の厚さは、0.01nm〜1nmに設定することが好ましく、さらには0.03nm〜0.2nmに設定することが好ましい。熱処理において、アルミニウム含有中間層のアルミニウム元素と、コバルト含有膜中のコバルト元素とが互いに反応することにより、コバルトシリサイド膜を熱拡散反応を制御する拡散反応障壁層を形成するようになるが、アルミニウム含有中間層の厚さが範囲外であると、拡散反応障壁層の厚さが適切な範囲外となって、拡散反応障壁としての機能を十分に発揮しなくなる場合がある。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT