強誘電体薄膜の作製方法、及び強誘電体薄膜

開放特許情報番号
L2007002025
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2007/3/30

基本情報

出願番号 特願2003-138538
出願日 2003/5/16
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2004-342487
公開日 2004/12/2
登録番号 特許第3873125号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 強誘電体薄膜の作製方法、及び強誘電体薄膜
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子デバイス、異方性、セラミックス、薄膜化、結晶粒
目的 アルカリ金属含有の強誘電体単結晶薄膜はその用途が限定されてしまい、広範な電子的用途及び電気光学的用途に使用することができないということに鑑みた、種々の電子的用途及び電気光学的用途に使用することができる、新規な強誘電体薄膜の作製方法及びその強誘電体薄膜の提供。
効果 強誘電体薄膜は、Baサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換されるようになり、結晶化の際に実施する加熱処理温度を十分に低減することができる。したがって、良好な結晶品質を有するタングステンブロンズ型の結晶構造の強誘電体薄膜を得ることができる。
技術概要
この技術は、Ba金属又はBaアルコキシド(Ba(OR)↓2)、ニオブアルコキシド(Nb(OR’)↓5)及び少なくとも一種類の希土類アルコキシド(M(OR”)↓3)又は脱結晶水処理を行った希土類酢酸塩(M(OAc)↓3)を所定の溶媒中に溶解して、前駆体溶液を作製する工程と、前駆体溶液を所定の基板上に塗布して前駆体膜を形成する工程と、前駆体膜を加熱して結晶化させ、Baサイトの少なくとも一部が希土類元素で置換され、Ba↓(1−X)M↓(2/3X)Nb↓2O↓6(0.25≦X≦0.5)なる分子式で表わされ、タングステンブロンズ型の結晶構造を有する強誘電体薄膜を形成する工程とを具える強誘電体薄膜の作製方法(但し、M:希土類元素、R,R’,R”:アルキル基などの有機基)とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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