シリコンナノ結晶の作製方法、シリコンナノ結晶、フローティングゲート型メモリキャパシタ構造の作製方法、及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造

開放特許情報番号
L2007002015
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2008/10/17

基本情報

出願番号 特願2003-363411
出願日 2003/10/23
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2005-129708
公開日 2005/5/19
登録番号 特許第4072621号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 シリコンナノ結晶の作製方法及びフローティングゲート型メモリキャパシタ構造の作製方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 半導体ドットメモリ、高密度ナノ結晶、表面化学処理、薬液処理、ナノ結晶の配置密度
目的 高密度かつ微細化されたナノ結晶を作製する技術の確立、さらに、これを利用した実用的な半導体ドットメモリの提供。
効果 シリコンナノ結晶はドットメモリとして使用できるようになり、シリコンナノ結晶を利用した半導体ドットメモリを得ることが可能となる。アモルファスシリコン層の厚さを1nm以下とすると、高密度かつ微細化されたシリコンナノ結晶を簡易に形成できるようになる。
技術概要
この技術は、シリコン基板の上方にアモルファスシリコン層を形成する工程と、アモルファスシリコン層上に原料ガスを供給し、シリコンナノ結晶を形成する工程と、を具えるシリコンナノ結晶の作製方法とする。シリコン基板の上方に微小な厚さのアモルファスシリコン層を形成し、次いで、アモルファスシリコン層上に原料ガスを供給してシリコンナノ結晶を作製する。このとき、アモルファスシリコン層はシリコンナノ結晶が高密度かつ微小な大ききで成長するための核として良好に機能する。その結果、シリコンナノ結晶は、例えば1×10↑(12)/cm↑2以上の数密度であって、10nm以下の大きさまで高密度及び微細化することができるようになる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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