カーボンナノチューブに対する電極の形成方法及びそれを用いたカーボンナノチューブFET

開放特許情報番号
L2007002008
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2011/7/29

基本情報

出願番号 特願2004-037903
出願日 2004/2/16
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2005-229019
公開日 2005/8/25
登録番号 特許第4769931号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 カーボンナノチューブに対する電極の形成方法及びそれを用いたカーボンナノチューブFET
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 位置制御カーボンナノチューブFET、カーボンナノチューブ素子、電極形成の際の低抵抗化技術、カイラリティ、半導体的特性、電流密度
目的 TiC/CN接合の形成には、800℃以上での高温アニールが必要であり、集積化プロセスには向いていないということに鑑みた、高温プロセスによらずに、より低温で低抵抗なCN−電極間接合を形成する技術の提供。
効果 カーボンナノチューブと電極との接触構造における接合抵抗と非線形性を、比較的低温のプロセスにより改善することができる。
技術概要
この技術は、基板と、基板に形成されたカーボンナノチューブからなるチャネル層と、カーボンナノチューブからなるチャネル層と接する領域にTiを含むソース及びドレイン電極と、チャネル層に対して形成されたゲート電極と、を有するCN−FET構造とする。また、カーボンナノチューブからなる層と、カーボンナノチューブからなる層と接する領域にTiを含む電極とを有するCN−Ti接合構造とすることができる。このような構造においては、電極を構成するTiとカーボンナノチューブとが接した状態にあるため、例えば、その後のアニール処理などにより非線形特性を改善することが可能である。尚、電極材料としては、Tiの他に種々の導電性材料も使用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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