出願番号 |
特願2004-037903 |
出願日 |
2004/2/16 |
出願人 |
国立大学法人名古屋大学 |
公開番号 |
特開2005-229019 |
公開日 |
2005/8/25 |
登録番号 |
特許第4769931号 |
特許権者 |
国立大学法人東海国立大学機構 |
発明の名称 |
カーボンナノチューブに対する電極の形成方法及びそれを用いたカーボンナノチューブFET |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
機械・部品の製造 |
適用製品 |
位置制御カーボンナノチューブFET、カーボンナノチューブ素子、電極形成の際の低抵抗化技術、カイラリティ、半導体的特性、電流密度 |
目的 |
TiC/CN接合の形成には、800℃以上での高温アニールが必要であり、集積化プロセスには向いていないということに鑑みた、高温プロセスによらずに、より低温で低抵抗なCN−電極間接合を形成する技術の提供。 |
効果 |
カーボンナノチューブと電極との接触構造における接合抵抗と非線形性を、比較的低温のプロセスにより改善することができる。 |
技術概要
|
この技術は、基板と、基板に形成されたカーボンナノチューブからなるチャネル層と、カーボンナノチューブからなるチャネル層と接する領域にTiを含むソース及びドレイン電極と、チャネル層に対して形成されたゲート電極と、を有するCN−FET構造とする。また、カーボンナノチューブからなる層と、カーボンナノチューブからなる層と接する領域にTiを含む電極とを有するCN−Ti接合構造とすることができる。このような構造においては、電極を構成するTiとカーボンナノチューブとが接した状態にあるため、例えば、その後のアニール処理などにより非線形特性を改善することが可能である。尚、電極材料としては、Tiの他に種々の導電性材料も使用できる。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
|
特許権実施許諾 |
【可】
|