| 出願番号 |
特願2004-147736 |
| 出願日 |
2004/5/18 |
| 出願人 |
国立大学法人名古屋大学 |
| 公開番号 |
特開2005-333227 |
| 公開日 |
2005/12/2 |
| 登録番号 |
特許第4621905号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東海国立大学機構 |
| 発明の名称 |
Ｎ型負性抵抗素子を有する発振回路及びこの発振回路を備える回路 |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
共鳴トンネルダイオード、エサキダイオード、高周波の発振、ダイナミック型の分周器や増幅器、カオス生成回路、信号生成回路、出力パワー |
| 目的 |
二つの負性抵抗素子を直列接続し、外部からＲＦ信号を供給して発振を行う方法では、ＲＦ信号を発生する信号源を外部に設ける必要があったことに鑑みた、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができるＮ型負性抵抗素子を有する回路の提供。 |
| 効果 |
第１のＮ型負性抵抗素子の第２端子を、第２のＮ型負性抵抗素子の第１端子に接続し、すなわち、第１及び第２のＮ型負性抵抗素子を直列接続し、第１のＮ型負性抵抗素子の第２端子と第２のＮ型負性抵抗素子の第１素子との接続部に共振回路を接続することによって、スプリアス発振が抑制される。その結果、共鳴トンネルダイオードのような第１及び第２のＮ型負性抵抗素子の面積を大きくできるので、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができる。 |
技術概要
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この技術では、Ｎ型負性抵抗素子を有する回路は、正の電圧が印加される第１端子と、第２端子とを有する第１のＮ型負性抵抗素子と、第１のＮ型負性抵抗素子の第２端子に接続した第１端子と、正の電圧と同じ大きさの負の電圧が印加され又は接地された第２端子とを有する第２のＮ型負性抵抗素子と、少なくとも共振回路を有し、第１のＮ型負性抵抗素子の第２端子と第２のＮ型負性抵抗素子の第１素子との接続部に共振回路を接続した回路部とを具える。共振回路は、例えば、インダクタとキャパシタからなる並列共振回路又は伝送線路によって構成する。また、第１のＮ型負性抵抗素子の第２端子と第２のＮ型負性抵抗素子の第１素子との接続部を、低周波的にグランドとショートすることによって、接続部が直流的に接地され、これにより、低周波のスプリアス発振が生じにくくなる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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