N型負性抵抗素子を有する回路

開放特許情報番号
L2007001997
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2010/12/17

基本情報

出願番号 特願2004-147736
出願日 2004/5/18
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2005-333227
公開日 2005/12/2
登録番号 特許第4621905号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 N型負性抵抗素子を有する発振回路及びこの発振回路を備える回路
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 共鳴トンネルダイオード、エサキダイオード、高周波の発振、ダイナミック型の分周器や増幅器、カオス生成回路、信号生成回路、出力パワー
目的 二つの負性抵抗素子を直列接続し、外部からRF信号を供給して発振を行う方法では、RF信号を発生する信号源を外部に設ける必要があったことに鑑みた、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができるN型負性抵抗素子を有する回路の提供。
効果 第1のN型負性抵抗素子の第2端子を、第2のN型負性抵抗素子の第1端子に接続し、すなわち、第1及び第2のN型負性抵抗素子を直列接続し、第1のN型負性抵抗素子の第2端子と第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に共振回路を接続することによって、スプリアス発振が抑制される。その結果、共鳴トンネルダイオードのような第1及び第2のN型負性抵抗素子の面積を大きくできるので、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができる。
技術概要
この技術では、N型負性抵抗素子を有する回路は、正の電圧が印加される第1端子と、第2端子とを有する第1のN型負性抵抗素子と、第1のN型負性抵抗素子の第2端子に接続した第1端子と、正の電圧と同じ大きさの負の電圧が印加され又は接地された第2端子とを有する第2のN型負性抵抗素子と、少なくとも共振回路を有し、第1のN型負性抵抗素子の第2端子と第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部に共振回路を接続した回路部とを具える。共振回路は、例えば、インダクタとキャパシタからなる並列共振回路又は伝送線路によって構成する。また、第1のN型負性抵抗素子の第2端子と第2のN型負性抵抗素子の第1素子との接続部を、低周波的にグランドとショートすることによって、接続部が直流的に接地され、これにより、低周波のスプリアス発振が生じにくくなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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