エピタキシャル成長用基材及びその製造方法並びに多層膜構造体

開放特許情報番号
L2007001994
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2009/6/26

基本情報

出願番号 特願2004-207782
出願日 2004/7/14
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2006-032575
公開日 2006/2/2
登録番号 特許第4296276号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 エピタキシャル成長用基材の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子、チャネル領域に歪みを導入した電界効果トランジスタ、キャリア移動度、歪みシリコン膜、格子定数、シリコンゲルマニウム膜
目的 シリコンゲルマニウム膜における歪み緩和が均一になされていないと、これを下地層としてエピタキシャル成長させて形成されるシリコン膜においても、結晶格子に均一に引っ張り歪みを付与することが困難となこのシリコン膜を歪みシリコンチャネル層として利用したときに高いキャリア移動度を実現することが困難となることを改善するための、例えばシリコン基板上のシリコンゲルマニウム膜における均一な歪み緩和をより確実に達成することの実現。
効果 ネットワーク状構造物を構成する90°転位の転位線は短く途切れることなく長く連続的に伸びており、界面と平行な面内において90°転位が周期的に配列している。このため、界面と平行な面内において90°転位が均一に存在しており、シリコンゲルマニウム膜の結晶格子の歪みがより確実に均一に緩和されている。そして、このような90°転位のネットワーク状構造物の形成により、シリコンゲルマニウム膜は膜中にモザイク構造を含まないものとなっている。
技術概要
この技術は、シリコン含有基材と、シリコン含有基材上に層状に形成されたシリコンゲルマニウム膜とを備えたエピタキシャル成長用基材において、シリコン含有基材とシリコンゲルマニウム膜との界面近傍に、連続的に伸びる90°転位の転位線により構成されたネットワーク状構造物を設けるものである。シリコン含有基材とは、単一のシリコン基材(必要に応じて又は不可避的に不純物元素を含んでいてもよい)よりなる単層構造のものの他、このシリコン基材上にSiO↓2等の熱酸化膜よりなる絶縁層を形成し、さらにこの絶縁層の上にシリコン層を形成してなる多層構造のものも含む意味である。具体的には、シリコン含有基材として、単層構造のシリコン基板や、シリコン層/シリコン酸化膜層/シリコン基板の多層構造となるSOI(Silicon on Insulator)基板等を用いることができる。また、90°転位とは、転位の変位ベクトル(バーガースベクトル)と転位線とが90°の角度をなす転位を意味する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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