プラズマCVD装置および硬質炭素膜の製造方法

開放特許情報番号
L2007001990
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2004-239669
出願日 2004/8/19
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2006-057132
公開日 2006/3/2
登録番号 特許第4649605号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 プラズマCVD装置および硬質炭素膜の製造方法
技術分野 金属材料
機能 表面処理
適用製品 ダイヤモンド・ライク・カーボン、ECRプラズマCVD法
目的 基材上に効率よく硬質炭素膜を形成(製造)する方法とその方法を好適に実施し得るプラズマCVD装置の提供。
効果 シリコン基板等の基板上に効率よく硬質炭素膜を製造する方法を提供することができる。
技術概要
この技術では、先ずカソード(天板)上に被処理材を配置する。そして、減圧条件下の反応容器内に、外部のガス供給源よりガス供給管を介して原料ガスを供給する。一方、高周波電源からカソードに所定の出力で高周波電力を印加する。同時にカソード上に配置した被処理材の表面には自己バイアス電圧が印加される。而して、反応容器内の空間にグロー放電が生じ、それによって原料ガス由来のプラズマが発生する。このとき、被処理材の表面近傍には磁石によって局部的に磁場が形成され、容器内で発生したプラズマを高密度に閉じこめることができる。ここで、平行磁場の強度がより強い部分は自己バイアス電圧がより低くなり、被処理材表面に印加された自己バイアス電圧が低い部分はプラズマインピーダンスが低下する。その結果、被処理材表面の磁場の強い部分の成膜速度は加速され、高い成膜速度で硬質炭素膜を得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT