縮環ポリチオフェン−S,S−ジオキシド及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007001966
開放特許情報登録日
2007/3/30
最新更新日
2008/10/17

基本情報

出願番号 特願2005-067756
出願日 2005/3/10
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2006-248983
公開日 2006/9/21
登録番号 特許第4139903号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 縮環ポリチオフェン−S,S−ジオキシド及びその製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機薄膜トランジスタ、有機電界発光素子、有機エレクトロニクス
目的 高い電子受容能を持つと共に高平面性のπ共役骨格を持つ縮環ポリチオフェン−S,S−ジオキシドの提供。
効果 高い電子受容能を持つと共に高平面性のπ共役骨格を持つ縮環ポリチオフェン−S,S−ジオキシドを提供することができる。また、そのようなS,S−ジオキシドを効率よく製造する方法を提供することができる。
技術概要
本技術の縮環ポリチオフェン−S,S−ジオキシドは、式(1a)又は(1b)で表される縮環ポリチオフェンに含まれる少なくとも1つの硫黄がジオキシドに酸化されているものである。ここで、式(1a)及び式(1b)において、Rは水素、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基,炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基などから選ばれた1種であり、nは整数である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT