偏光エンタングルド光子対発生装置

開放特許情報番号
L2007001635
開放特許情報登録日
2007/3/23
最新更新日
2009/4/24

基本情報

出願番号 特願2004-071909
出願日 2004/3/15
出願人 学校法人日本大学
公開番号 特開2005-258232
公開日 2005/9/22
登録番号 特許第4264735号
特許権者 学校法人日本大学
発明の名称 偏光エンタングルド光子対発生装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 量子情報処理、光子の非局所性、量子情報通信、エンタングルド(絡み合わせ)状態にある光子対、コヒーレント
目的 量子情報通信の実用化のために、光ファイバーにおける光損失が最小となる波長1550nmの偏光エンタングルド状態にある光子対を効率よく発生させることの実現。
効果 偏光エンタングルド光子対発生装置を、フェムト秒パルスレーザーからの45度偏光を偏光ビームスプリッターで分岐し、偏光ビームスプリッターに接続された偏波保存光ファイバーで構成されたサニャック干渉計に組み込んだ第1の導波路型PPLNと第2の導波路型PPLNとを、両側からフェムト秒パルスレーザーからの光でポンプすることにより、波長1550nmの偏光エンタングルド状態にある光子対を発生させる構成としたので、純度の高い偏光エンタングルド状態にある光子対を高効率で発生させることができる。
技術概要
この技術では、偏光エンタングルド光子対発生装置を、フェムト秒パルスレーザーからの45度偏光を分岐する偏光ビームスプリッターと、偏光ビームスプリッターに接続され第1の導波路型PPLNと第2の導波路型PPLNとを組み込んだ偏波保存光ファイバーで構成されたサニャック干渉計とを具備し、第1の導波路型PPLNと第2の導波路型PPLNを両側からフェムト秒パルスレーザーからの光でポンプすることにより、波長1550nmの偏光エンタングルド状態にある光子対を発生させる。光通信における波長変換素子として開発された導波路型PPLNを、偏波保存ファイバーで構成されたサニャック干渉計に組み込み、これを両側からフェムト秒レーザーからの光でポンプすることにより、純度の高い偏光エンタングルド状態にある光子対を高効率で発生させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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