原子レベルで平坦な金薄膜作製法

開放特許情報番号
L2007001576
開放特許情報登録日
2007/3/23
最新更新日
2008/11/21

基本情報

出願番号 特願2002-313636
出願日 2002/10/29
出願人 国立大学法人 鹿児島大学
公開番号 特開2004-149818
公開日 2004/5/27
登録番号 特許第4195928号
特許権者 国立大学法人 鹿児島大学
発明の名称 原子レベルで平坦な金薄膜作製法
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 表面処理
適用製品 薄膜表面、真空蒸着
目的 操作の簡単な真空蒸着法を用いて、雲母基板上に原子レベルで平坦な金薄膜を作製する方法の提供。
効果 真空蒸着法を用いて、雲母基板の前処理方法、真空度、雲母基板の温度、蒸着速度、膜厚等の条件を検討することによって、雲母基板上に広い範囲で原子レベルで平坦な金薄膜を作製することができる。
技術概要
この技術では、雲母を8mm×12mmに切断する。その雲母基板に粘着テープを貼り付けた後、これを剥がすことにより表面を劈開する。このようにして空気中で表面を劈開した雲母基板を2.3〜6.5×10↑(−6)Torrの高真空中において550℃で2時間加熱することにより表面を清浄化する。次に、前処理した雲母基板を1.5×10↑(−6)Torrにおいて473℃に保ち、蒸着速度2.0〜2.2nm/sで蒸着し、膜厚150nmの金薄膜を作製する。作製した金薄膜が100℃よりも低い温度になるまで1.5×10↑(−6)Torrの高真空中で放冷し、その後大気中に取り出す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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