バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料の製造方法

開放特許情報番号
L2007001520
開放特許情報登録日
2007/3/23
最新更新日
2015/10/12

基本情報

出願番号 特願2005-067562
出願日 2005/3/10
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2006-249506
公開日 2006/9/21
登録番号 特許第4766368号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 表面処理
適用製品 バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料
目的 耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。
効果 従来は困難であった建築用大型ガラス基板やポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂等のプラスチックをはじめとする低耐熱性フィルム等の表面に光触媒活性を有するに酸化チタン膜や高融点酸化物皮膜を刑することが可能となった。
技術概要
デュアルマグネトロン形式のバイポーラパルススパッタリング成膜装置は、マグネトロンと成膜する基体との間であって、二つのデュアルマグネトロンの中間位置に、プラズマ形状制御板を基体表面にできるだけ近づけ、ただし、プラズマが不安定にならない適正な離間距離をおいて立設し、これによりプラズマ活性領域を基体表面に近づけるようにした。好ましくは適正な離間距離は、1〜20センチメートルである。マグネトロン1基あたりへの印加電力のデューティー比を30%以下とする。印加する印加電力の周波数は。1kHzから150kHzが好ましい。図のように2基のマグネトロンの中間に絶縁性板8を設定してプラズマの流れを制御してみたところ、2基のマグネトロンの中央位置に絶縁板を立設したところ、プラズマの流れが上方に押し上げられ、その結果、活性が高くなる領域7も、基体5の設置されている方へ押し上げられ、基体に近づくので、活性が高くなる領域7が基体表面に近づく。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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