シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤー及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007001464
開放特許情報登録日
2007/3/23
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2005-201975
出願日 2005/7/11
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-015092
公開日 2007/1/25
登録番号 特許第4894180号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤー及びその製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 電子デバイス
目的 化学的に不活性なシリカ膜で被覆されたGaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
効果 複合ナノワイヤーの高い反応性に起因する性状の劣化を防止することができる。このナノワイヤーは、GaとZnSの接合を有しており、接合部が電子ビームの照射に対して非常に敏感であるために、電子ビームの照射で駆動するスイッチ等の電子デバイスとして利用可能である。
技術概要
図1に示すナノワイヤーは、GaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーであって、シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤーである。さらにシリカ膜は、GaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーを被覆するシリカナノチューブでありその膜厚は4〜8nmである。シリカナノチューブの中に、GaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとの接合が、複数含まれている。ナノワイヤーの直径は、好ましくは150〜250nmであり、その長さは数μm〜数十μmである。このナノワイヤーの製造方法は、図2に示す加熱炉を用い、ZnS粉末とGa↓2O↓3粉末とSiO粉末との混合物を不活性ガス気流中で加熱処理することによる。この方法において、ZnS粉末とGa↓2O↓3粉末とSiO粉末との重量比は、0.6〜1:0.4〜0.8:0.8〜1.2の範囲で、加熱処理の温度は、1400〜1500℃の範囲で、加熱処理時間は、1〜2時間の範囲である。不活性ガスとしてアルゴンガスを使用する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 ZnS粉末とGa↓2O↓3粉末とSiO粉末との混合物を不活性ガス気流中で加熱処理することにより容易に製造することができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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