窒化ホウ素ナノホーンの製造方法

開放特許情報番号
L2007001457
開放特許情報登録日
2007/3/23
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2005-212259
出願日 2005/7/22
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-031167
公開日 2007/2/8
登録番号 特許第4706077号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 窒化ホウ素ナノホーンの製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 耐酸化材料、高強度材料、半導体材料、エミッタ材料、耐熱性充填材料、高強度材料、触媒、電界電子放出デバイス、水素吸蔵材料、リチウム吸蔵材料
目的 窒化ホウ素ナノホーンを収率良く得ることができる、窒化ホウ素ナノホーンの製造方法を提供する。
効果 1600〜2000℃の反応温度範囲において、窒化ホウ素ナノホーン生成の選択率や収率を向上させることができる。
技術概要
この製造方法は、酸化マグネシウム(MgO)粉末とホウ素(B)粉末とからなる混合物を、アンモニアガスと不活性ガス気流中で加熱し、窒化ホウ素ナノホーンを合成する。酸化マグネシウム粉末とホウ素粉末との重量比は、1:1から1:4の範囲で、加熱温度は1600〜2000℃の範囲、加熱時間は1〜3時間の範囲とする。不活性ガスの流量は、150〜250cm↑3/分の範囲とし、アルゴンガスを用いるのが好ましい。アンモニアガスの流量は200〜300cm↑3/分の範囲とする。この条件で製造することにより、底面の直径が100〜200nm(ナノメートル)、長さが500〜1000nm、壁の厚さが約20nmの窒化ホウ素ナノホーンが得られる。図に、窒化ホウ素ナノホーンの製造装置の一例を示す模式図を示す。窒化ホウ素製の坩堝6の中に、酸化マグネシウム粉末とホウ素粉末とからなる混合物7を入れ、この坩堝6を縦型高周波誘導加熱装置1内のボート5に設置する。反応性ガス8としてアンモニアガスを流しながら、坩堝6を誘導加熱コイル3により1600〜2000℃の加熱温度で1〜3時間加熱して窒化ホウ素ナノホーンを製造する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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