ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板

開放特許情報番号
L2007001453
開放特許情報登録日
2007/3/23
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2005-221176
出願日 2005/7/29
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2007-031252
公開日 2007/2/8
登録番号 特許第4766375号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ホウ化物単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた半導体成長用基板
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、その他
適用製品 半導体成長用基板、窒化ガリウム系半導体
目的 二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。
効果 二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも溶融温度が低く、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等な格子定数と熱膨張係数を有する。
技術概要
この二ホウ化物単結晶は、二ホウ化ジルコニウムと、所定の固溶度のV族二ホウ化物とからなる、固溶体単結晶である。V族二ホウ化物が二ホウ化ニオブである場合は、固溶度が5モル%から12モル%の範囲で、また、V族二ホウ化物が二ホウ化タンタルである場合は、固溶度が5モル%から9モル%の範囲で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する固溶体単結晶が得られる。この二ホウ化物単結晶は、二ホウ化ジルコニウム粉末とV族二ホウ化物粉末とを所定の混合比で混合し、静水圧を印加して圧粉棒を形成する工程と、この圧粉棒から焼結棒を形成する工程と、この焼結棒を、高圧希ガス中で、二ホウ化ジルコニウムの融点より低い温度で、浮遊帯域溶融法により、二ホウ化ジルコニウムとV族二ホウ化物とからなる固溶体単結晶を成長させることにより製造出来る。図は、NbB↓2の添加量が10モル%の試料、TaB↓2の添加量が8モル%の試料のa軸方向の格子定数を示す図で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数を有することが示される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 良質な窒化ガリウム系半導体の形成が可能となる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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