薄膜作製方法

開放特許情報番号
L2007001432
開放特許情報登録日
2007/3/16
最新更新日
2011/11/18

基本情報

出願番号 特願2006-133269
出願日 2006/5/12
出願人 国立大学法人 宮崎大学
公開番号 特開2007-302958
公開日 2007/11/22
登録番号 特許第4843768号
特許権者 国立大学法人 宮崎大学
発明の名称 薄膜作製方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 SiN↓x薄膜
目的 低温度でSiN↓x薄膜を形成する薄膜作製方法を提供する。
効果 SiN↓x薄膜を低温(室温〜300℃)にて作製できるという優れた効果を有する。原料ガスのシランとキャリアガスのN↓2を真空紫外光の光源窓部に向けて吹き付けて導入するため、窓部にアモルファスSiが付着しないため、真空紫外光の光量が変化せず安定した薄膜作製が可能であるという優れた効果を有する。
技術概要
図1に示すように、光CVD装置1は、反応容器2と、原料ガス供給装置3、4と、排気装置5と、真空紫外光装置6とから構成されており、反応容器2内の基板保持部7に基板8を載置して排気装置5によって真空引きを行い、原料ガスのシラン及びNH↓3を原料ガス供給装置3、4によって導入して混合すると共に、加熱装置(図示せず)によって基板8を過熱し、真空紫外光源であるエキシマランプを真空紫外光装置6に装着し、窓部9を介して波長126nmの紫外光を照射可能とする。ここで、原料ガスのシランは予め原料ガス供給装置3によってキャリアガスであるN↓2と混合され、真空紫外光装置6の窓部9に直近から吹き付けて導入される。波長126nmの真空紫外光を照射された反応容器2内では、図2に示すようにシランとNH↓3が真空紫外光を吸収し、光化学反応によって分解して解離分子となって基板8上に吸着し、この解離分子が真空紫外光を吸収して光化学反応を起こし、SiN↓x薄膜として成長する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 SiN↓x薄膜が形成された基板をさらに光アニーリングを行なうことにより、良質の薄膜が作製できるという優れた効果を有する。さらに、基板温度を50℃〜80℃の低温において光CVD法による薄膜を作製し、さらに光アニーリングを行なうことによって酸化しない安定したSiN↓x薄膜を作製できるためプラスチック等の基板材料や生体系材料等の保護膜として利用できるという効果を有する。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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