規則性のある大表面積ミクロポーラス炭素の簡便な合成方法

開放特許情報番号
L2007001367
開放特許情報登録日
2007/3/16
最新更新日
2007/3/16

基本情報

出願番号 特願2005-161667
出願日 2005/6/1
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2006-335596
公開日 2006/12/14
発明の名称 規則性のある大表面積ミクロポーラス炭素の簡便な合成方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 規則性のある大表面積ミクロポーラス炭素の簡便な合成システム
目的 ミクロポーラス炭素材料の新規な合成方法に関するものであって、詳しくは、内部にミクロ空孔を有し、分子レベルの3次元構造規則性を持っている炭素材料の合成方法、さらに詳しくは0.5nmから100nmの長周期を有している3次元の規則的な構造を有するミクロポーラス炭素材料の製造方法を提供する。
効果 この合成法では、従来法で不可欠であった煩雑な且つ時間のかかる処理操作をなくすことができて、その工程が簡単なものとなっており、安定して且つ安価に所望のミクロポーラス炭素材料を得ることができる。この方法は、所望のミクロポーラス炭素材料を工業規模で製造するのに適した特徴を有しているので、経済的な価値も高い。
技術概要
 
規則構造を有し、内部に少なくともミクロ空孔を有し、内部の空孔において、ミクロ孔の占める容積が0.5cm↑3/g以上であるミクロポーラス炭素材料の合成法であって、鋳型である多孔質材料に加熱条件下有機物を導入して、化学気相成長法により多孔質材料の表面および空孔内部に炭素を堆積せしめること、を包含している処理をした後に、多孔質材料を除去するミクロポーラス炭素材料の合成方法である。また、多孔質材料がゼオライトであるミクロポーラス炭素材料の合成方法である。また、ゼオライトが12員環以上のゼオライトであるミクロポーラス炭素材料の合成方法である。また、加熱条件下有機物を導入してゼオライト空孔内部に化学気相成長法により炭素を堆積せしめた後に、ゼオライトを溶解させて除去するミクロポーラス炭素材料の合成方法である。さらに、最初の化学気相成長法を550〜690℃の温度で行い、次の化学気相成長法を610〜750℃の温度で且つ最初の温度より高い温度で行うミクロポーラス炭素材料の合成方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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