層状珪酸塩を前駆体とする新規高シリカナノ多孔体、その設計方法と製造方法

開放特許情報番号
L2007001253
開放特許情報登録日
2007/3/9
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2006-313664
出願日 2006/11/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2007-161571
公開日 2007/6/28
登録番号 特許第5397798号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 層状珪酸塩を前駆体とする新規高シリカナノ多孔体、その設計方法と製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 層状珪酸塩を前駆体とする新規高シリカナノ多孔体
目的 層状珪酸塩ilerite、magadiite、kenyaiteをナノレベルの部品として用い、新しい設計指針に従った合成プロセスの適用によるRWR型高シリカゼオライト、2つの新規高シリカナノ多孔体、更には、それらの製造方法を提供する。
効果 層状珪酸塩からナノ多孔体もしくはゼオライトを構築するための新しい構造設計指針は、従来のゼオライト合成とは異なり、既存の層状珪酸塩からゼオライトを作り出せる大きな可能性をもたらすと考えられ、コスト面で不利な特殊なOSDA(有機構造規程剤)によらず、低コストな高シリカゼオライト又はナノ多孔体を合成できる方法として有望である。
技術概要
 
層状珪酸塩を用い、その骨格構造を保持したまま、隣り合うシリカシートを規則的に並べる、寄せる、繋げるの三つの要素を組み合わせ操作し、層間に新たな微細孔を形成させることで、合成される高シリカナノ多孔体の構造設計を行う高シリカナノ多孔体の構造設計方法であって、その層間への低有機分子の挿入、水素結合を伴ったシリカシートの規則的配列化と層間距離の収縮、脱水重縮合反応によるシリカシートの架橋、の3つのプロセスによって、層間部分にナノメートルサイズの細孔を形成させることで、高シリカナノ多孔体の構造設計を行う方法、この方法に基づいて、高シリカゼオライト又は高シリカナノ多孔体を製造する方法、及び得られた製品である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 CDS−M、CDS−Kは、比表面積及び細孔容積ともに小さいものの、耐熱性に有利な高シリカ組成であることから、例えば、近年、燃料電池などで注目されている水素の分離材としての利用価値があるものと期待される。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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