| 出願番号 |
特願2006-301931 |
| 出願日 |
2006/11/7 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2008-118047 |
| 公開日 |
2008/5/22 |
| 登録番号 |
特許第5071764号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
半導体集積回路 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電界効果トランジスタ、汎用メモリ、混載メモリ、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＭＣＵ、マイコン |
| 目的 |
ゲート絶縁構造体に記憶保持機能を有する不揮発記憶可能な電界効果トランジスタで構成された相補型不揮発記憶回路を、電界効果トランジスタの各基板端子とソース端子を同電位にした状態で動作させ、かつ、出力端子にＨｉｇｈとＬｏｗの２値どちらの論理状態も正しく不揮発記憶保持および記憶読み出しを行うことが可能である装置の提供。 |
| 効果 |
不揮発記憶回路と、不揮発記憶しない一時記憶回路と、演算回路を構成する電界効果トランジスタのゲート絶縁体層をすべて同一あるいは類似の製造工程によって作製することができ、製造後には記憶回路と演算回路を、非記憶状態または一時的記憶状態にも、不揮発記憶状態にも、電気的に切り替えることができる。したがって、ゲート絶縁体層の作り分けに要していた製造工程数を、減らすことができる。 |
技術概要
 |
この技術は、入力端子と出力端子を備えて入力端子に入力された電位を元に不揮発記憶の可能な不揮発記憶回路に不揮発記憶を書き込むことのできる大きさの電位を発生して出力端子に出力する機能を持つ状態検知強調回路の出力端子を、不揮発記憶回路の入力端子に接続する半導体集積回路とする。そして、好ましくは、状態検知強調回路は、制御信号端子と制御信号端子に与えられる制御信号によってオンとオフを切り替えられるスイッチ回路を含み、スイッチ回路がオフのときは、入力端子に与えられる入力電位と同じ論理状態の出力電位を出力端子に与えるか、または、入力電位と出力電位との相関を全く絶つかのいずれかであり、スイッチ回路がオンのときは入力電位と同じ論理状態で、かつ、入力電位の取り得る最高−最低電位範囲を含んでより大きい最高−最低電位範囲を取り得る出力電位を出力端子に与える機能を持つ正論理の状態検知強調回路である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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