| 出願番号 |
特願2006-280836 |
| 出願日 |
2006/10/16 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2008-098536 |
| 公開日 |
2008/4/24 |
| 登録番号 |
特許第5071763号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
炭化ケイ素半導体装置、縦型ＭＯＳＦＥＴ |
| 目的 |
低オン抵抗且つ高耐圧のＳｉＣ縦型ＭＯＳＦＥＴを実現することであり、低濃度ｐ型堆積膜により形成したチャネル領域を有するＳｉＣ縦型ＭＯＳＦＥＴの新しい構造の提供。 |
| 効果 |
単位セル内の左右のチャネル長ならびに半導体デバイス内のすべてのチャネル長がすべてほぼ均一な長さにできるのでチャネル長の部分的な短小に起因した耐電圧の低下が起こらない。また、チャネル長のばらつきが少なくなるので、長さの設定値を１．０μｍ、もしくはそれ以下の長さに設定しても耐電圧の部分的な低下が起こらなくなる。したがって、低オン抵抗化と高耐圧化を同時に満たすＳｉＣ縦型ＭＯＳＦＥＴの実現が可能となる。 |
技術概要
 |
この技術では、チャネル領域を低濃度のｐ型堆積膜により形成し、その伝導型をイオン注入でｐ型からｎ型に打ち返して電子通電路（打ち返し層）を形成する方式のＳｉＣ縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、打ち返し層に対して左右ほぼ等距離の位置に第２の打ち返し層を設け、且つ、左右のソース層が、それぞれの内側のエッジが第２の打ち返し層の内部に位置するように形成する。この構造の第２の打ち返し層は、打ち返し層と同じマスクを用いた同じドーピング分布のイオン注入により形成することが好ましい。また、ソース層は、第２の打ち返し層と同じ位置の表面部分に形成することが好ましい。ソース層は、第２の打ち返し層と同じマスクを用いたイオン注入により形成することが好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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