積層体、及びそれを用いた研磨材及び研削材、並びにその積層体の形成方法

開放特許情報番号
L2007001189
開放特許情報登録日
2007/3/9
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-539795
出願日 2007/10/12
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2008/047728
公開日 2008/4/24
登録番号 特許第5170688号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 積層体、及びそれを用いた研磨材及び研削材、並びにその積層体の形成方法
技術分野 電気・電子、機械・加工、無機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理
適用製品 積層体、積層体の形成方法、研磨材、研削材、ダイヤモンド単結晶表面の研磨、硬質基材表面の研磨
目的 さまざまな分野で、ダイヤモンド単結晶やサファイヤ単結晶など硬質基材表面の、高い鏡面性、平坦性が必要となっている。従来、かかる鏡面化、平坦化はダイヤモンド砥粒やアルカリスラリーによる仕上げによっていたが、デバイスの高集積化等で、従来の方法では、要求精度を満足することが困難になりつつある。そこで、ダイヤモンド砥粒やアルカリスラリーなどを用いることなく、硬度の高い材料表面を、高い平坦性および精度で研磨、研削が可能な積層体を提供する。
効果 この積層体は、その炭素層が有する基材への高い密着性、硬度、および表面平坦性を有している。したがって、この積層体を用いることにより、ダイヤモンド砥粒やアルカリスラリーなどを用いることなく、ダイヤモンド、サファイヤ、硬質炭素膜などの硬度の高い材料表面を高速かつ簡便に、高い平坦性および精度で研磨、研削が可能な研磨材又は研削材を提供することが可能である。
技術概要
この硬質基材表面の研磨材として有効な積層体は、基材とこの基材上に設けられた炭素層とを備え、炭素層は、基材に設けられ、衝撃を与えられて粉砕されたダイヤモンド微粒子と、炭素粒子の成長を阻害する不純物の生成を抑制しあるいは炭素粒子の成長を抑制する生成・成長抑制材と、炭素粒子とを備え、生成・成長抑制材の量は、基材側の下部層から上部層に向かって減少するようにした積層体である。基材には、ガラス、シリコン、アルミニウム、鉄及び鉄系合金、ステンレス或はプラスチックが用いられ、、生成・成長抑制材には、好ましくは、SiO↓2材又はAl↓2O↓3材が用いられる。基板と炭素層との間には、チタン及びチタン合金等からなる密着強化層を設けることが好ましい。積層体の形成方法は、基材を用意する工程、ダイヤモンド微粒子を粉砕して基材上にダイヤモンド微粒子を設ける工程、マイクロ波プラズマCVD反応炉内に、反応ガスを導入し、反応炉内に表面波プラズマを発生させて、基材上にSiO↓2材又はAl↓2O↓3材と炭素粒子とからなる膜を、SiO↓2材又はAl↓2O↓3の量が基材側の下部層から上部層に向かって減少するように堆積させる工程とを備える。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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