| 出願番号 |
特願2008-537475 |
| 出願日 |
2007/9/25 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2008/041551 |
| 公開日 |
2008/4/10 |
| 登録番号 |
特許第5057476号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
酸化スズ透明導電膜の製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
酸化スズ透明導電膜、フッ素ドープ酸化スズ透明導電膜、液晶ディスプレイ・プラズマディスプレイ・フィールドエミッションデイスプレイ・フラットパネルディスプレイ等の電極材料 |
| 目的 |
透明でかつ高い導電性をもつ透明導電膜は電極材料等として重要な酸化物薄膜で、従来、酸化インジウムにスズをドープしたITO薄膜が広く用いられて来たが、Inの資源枯渇等から、新しい透明導電膜の開発が急務となっている。そこで、フッ素ドープ酸化スズが注目されているが、酸化スズ透明導電膜の製法に、気相法では高温加熱に加え大掛かりな装置を必要とし、固相法では高温加熱に高温焼成が必須であるといった問題がある。そこで、低温成長が可能であり、かつ極めて高い導電性を示す酸化スズ透明導電膜の効率的な製造方法を提供する。 |
| 効果 |
この方法によれば、耐久性に優れ、導電性が著しく向上したスズ酸化物透明導電膜（シート抵抗は、たとえば、300Ω/□〜50Ω/□）を、大型装置を用いることなく、低温（室温から250℃）で簡便に効率良く製造することができるので、製造コストの削減や従来にはない新しいデバイスの創製が期待できる。 |
技術概要
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このスズ酸化物透明導電膜の製造方法は、以下の工程を含む；工程１：フッ素とスズを含有する前駆体溶液を基板上に塗布乾燥し薄膜を形成する工程、工程２：工程１で得られる薄膜に紫外線を照射する第一の光照射工程、工程３：工程２で得られる薄膜を熱処理する工程、工程４：工程３で得られる薄膜に紫外線を照射する第二の光照射工程。工程１は、基板上に前駆体溶液の薄膜を形成する工程で、基板としては、金属酸化物基板、プラスチック基板、化合物半導体基板が用いられ、前駆体溶液としては、フッ素を分子内に有する有機スズ化合物又はフッ素化合物と有機スズ化合物の混合物を含む溶液が用いられる。工程２は、薄膜のアブレーションを回避しつつ有機官能の部分分解やパターニングを行うもので、室温で行うことが好ましい。工程３は、好ましくは25〜300℃更に好ましくは25〜150℃で行われる。工程４は、薄膜の導電性を向上させるために行うもので、室温で行うことが好ましい。また紫外線照射時間は、1Hzの繰り返し周波数の場合、10秒である。第一次・第二次光照射工程とも、４００ｎｍ以下が好ましく、また、パルスレーザ光またはランプ光であってもよい。図は酸化スズ透明導電膜のXRDパターンである。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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