シリコンカーバイド系多孔質体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2007000764
開放特許情報登録日
2007/2/23
最新更新日
2010/5/7

基本情報

出願番号 特願2005-152009
出願日 2005/5/25
出願人 国立大学法人群馬大学
公開番号 特開2006-327857
公開日 2006/12/7
登録番号 特許第4478797号
特許権者 国立大学法人群馬大学
発明の名称 シリコンカーバイド系多孔質体の製造方法
技術分野 機械・加工、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 比表面積、活性炭、SiC、触媒担体、高温ガス浄化フィルター、溶融金属濾過用フィルター、マイクロ波吸収発熱体、通気性断熱材、焼結性、微細な凹凸
目的 触媒担体等の用途に供することが可能な、高い比表面積を有するシリコンカーバイド系多孔質体及びその製造方法の提供。
効果 得られるシリコンカーバイド系多孔質体は、SiCが有する高い耐熱温度、優れた熱伝導性と電気伝導性、化学的安定性等の特性を備えるとともに、高い比表面積を有するという利点がある。
技術概要
この技術は、シリコンカーバイド系多孔質体について、メソポーラスシリカ粉末を鋳型として用い、このシリカ粉末が有するメソ孔にシリコンカーバイド前駆体溶液を充填し、所定の処理を施した後に焼成して、シリカ粉末内部にシリコンカーバイドを形成し、更に、メソポーラスシリカ粉末のシリカ成分を除去することで高い比表面積を有するシリコンカーバイド系多孔質体が得られる。シリコンカーバイド系多孔質体のBET比表面積は450〜700m↑2/gとし、この範囲としたのは鋳型となるメソポーラスシリカ粉末が有するメソ孔の大きさによっても異なるが、下限値未満ではその使用用途に供するのに十分ではなく、上限値を越えると強度に劣るためである。シリコンカーバイド系多孔質体は、シリコンカーバイドだけでなく、シリコンカーバイドに酸素が一部結合したSiC↓xO↓yの構造を有する化合物の双方を含む。SiC↓xO↓yのxは1〜1.5の範囲であり、yは0〜0.5の範囲である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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