多孔質シリコン膜の製造方法

開放特許情報番号
L2007000564
開放特許情報登録日
2007/2/9
最新更新日
2009/12/4

基本情報

出願番号 特願2006-131763
出願日 2006/5/10
出願人 国立大学法人群馬大学
公開番号 特開2007-305748
公開日 2007/11/22
登録番号 特許第4392505号
特許権者 国立大学法人群馬大学
発明の名称 多孔質シリコン膜の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 多孔質シリコン膜、半導体発光素子
目的 可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜とこの多孔質シリコン膜を簡便かつ再現性よく製造する製造方法とを提供する。また、この多孔質シリコン膜を用いた高発光効率の半導体発光素子を提供する。
効果 可視発光が可能で膜厚の均一な多孔質シリコン膜を、簡便かつ再現性よく製造することができる。また、この多孔質シリコン膜を用いた半導体発光素子では、高い発光効率を達成することができる。
技術概要
酸化還元電位が+0.4eV〜+1.5eVの範囲にある酸化剤を含有するフッ化水素酸水溶液を処理溶液として用い、シリコン結晶を前記処理溶液に浸漬し、シリコン結晶の表面に光を照射して、エッチングによりシリコン結晶の表面に多孔質シリコン膜を形成する。好適には、酸化剤は、塩化銅(CuCl、CuCl↓2)、ヨウ素(I↓2)、臭素酸銀(AgBrO↓3)、及び硝酸銀(AgNO↓2)から選択される。処理溶液は、処理溶液1リットルあたり1×10↑−↑5〜5×10↑−↑2モルの酸化剤を含有する。表面に多孔質シリコン膜が形成されたシリコン結晶と、多孔質シリコン膜上に形成された表面電極と、シリコン結晶の裏面に形成され、表面電極と共に多孔質シリコン膜に電流を印加する裏面電極と、を備えた半導体発光素子である。図に示すように光アシストエッチング法は、容器10に入れた処理溶液12に平板上のシリコン結晶14を浸漬し、シリコン結晶14の表面14aに所定波長のアシスト(励起)光16を照射することで、シリコン結晶14に多孔質シリコン膜18を形成することができる。アシスト光16は、波長400nm〜900nmの可視領域から赤外領域の光が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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