ナノワイヤの製造方法

開放特許情報番号
L2007000544
開放特許情報登録日
2007/2/9
最新更新日
2012/3/16

基本情報

出願番号 特願2005-105142
出願日 2005/3/31
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 特開2006-281379
公開日 2006/10/19
登録番号 特許第4922566号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 ナノワイヤの製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノワイヤ
目的 太さが数ナノメータから数十ナノメータ程度で、長さが1マイクロメータ以上のナノワイヤを、自己組織化により効率的に、かつ、確実に製造する方法を提案する。
効果 太さが数ナノメータから数十ナノメータ程度で、長さが1マイクロメータ以上のナノワイヤを、自己組織化により効率的に、かつ、確実に製造することが可能となり、ナノメータサイズの電子素子を作成することが可能となる。
技術概要
表面が清浄な結晶面である基板を準備する基板準備過程と、ナノワイヤを作るための材料を基板の表面に付着させる材料供給過程と、基板の材料が付着された表面の前に微小空間を形成する微小空間形成過程と、微小空間が前面に形成された基板を真空中で所定温度に保つアニール過程とを含む製造方法である。基板の表面は、Siの単結晶の[100]面、または[110]面、[111]面である。料供給過程は、スピンコーティング法により、ナノワイヤを製造するための材料を溶かした溶液をスピンコータを用いて基板の表面に塗布する過程、又は、レーザアブレーション法により、ナノワイヤを製造するための材料をターゲットとしてレーザ照射を行い基板の表面に材料を付着させる過程からなる。穴が設けられたスペーサを基板の材料が付着された面の前に置き、さらにそのスペーサの穴を蓋部材で覆うこと或いは、浅い凹部が形成された被覆部材を、基板の材料が付着された面の前に凹部が位置するように載置することにより基板の前面に微小空間を形成する。ナノワイヤの材料は、ErCl↓3等の希土類塩化物である。基板の加熱温度は、1000〜1200℃である。微小空間を作る第1の方法の概念図を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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