光学式水素検知材料用酸化タングステン薄膜の作製方法

開放特許情報番号
L2007000512 この特許が掲載されている活用例集をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2007/2/9
最新更新日
2017/3/22

基本情報

出願番号 特願2005-170568
出願日 2005/6/10
出願人 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2006-342411
公開日 2006/12/21
登録番号 特許第4717522号
特許権者 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
発明の名称 光学式水素検知材料用酸化タングステン薄膜の作製方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 光学式水素検知材料用酸化タングステン薄膜
目的 水素検知材料としての使用を可能にする酸化タングステン薄膜を安価に実現する作製技術を提供する。
効果 スパッタ時の成膜温度の制御により酸化タングステンの結晶性が調節され、結晶性の制御によって水素吸着後の光学的な透過率の調節が可能となる。作製費用が安価なスパッタ法を用いながらも、電子ビーム蒸着法で作製された良質な酸化タングステン薄膜と同等の透過率が得られる。
技術概要
酸化タングステン薄膜は、主成分が酸化タングステンである、厚さ1μm以下の薄膜である。酸化タングステン薄膜の作製は、価格面で有利なスパッタ法により行う。作製に際しては、成膜温度を制御し、酸化タングステンの結晶性を調節する。成膜温度の制御は、具体的には、酸化タングステン薄膜を形成させる基板の温度を制御することにより行う。成膜時の基板温度を制御することにより、水素吸着後の酸化タングステン薄膜の光学的な透過率を調節することができる。成膜温度は、450℃以上800℃以下が例示される。好ましくは、500℃以上700℃以下である。基板は、たとえば500℃程度の温度に対して耐性を持つ材料から形成されたものとすることができる。たとえば、金属、ガラス、セラミックス等の材料が例示される。酸化タングステン薄膜の表面には触媒層を形成することができる。触媒層の形成には、酸化タングステン薄膜の形成と同様にスパッタ法を採用することができる他、レーザー蒸着法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相蒸着法、めっき法、ゾルゲル法などを採用してもかまわない。図1は使用した光学式測定装置の概要を示した図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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