シリコンの製造方法

開放特許情報番号
L2007000381
開放特許情報登録日
2007/2/2
最新更新日
2023/1/24

基本情報

出願番号 特願2005-147139
出願日 2005/5/19
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2006-321688
公開日 2006/11/30
登録番号 特許第4765066号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 シリコンの製造方法
技術分野 金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 結晶系シリコン太陽電池、球状シリコン太陽電池、金属酸化物の還元剤
目的 シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、該陰極にケイ素酸化物を接触させることにより、安価に高純度のシリコンを製造する方法の提供。
効果 二酸化ケイ素の電解還元において陰極にシリコンを主体とした材料を用いることにより、電極が原因で生じる不純物の混入がなく高純度のシリコンを製造することができる。また、シラン系ガスを利用するプロセスよりも製造に必要なエネルギーが少なく、コストダウンを図ることができる。
技術概要
 
本技術は、シリコン太陽電池に好適に用いられる高純度の、シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、陰極にケイ素酸化物を接触させることを特徴とするものである。溶融塩中においてケイ素酸化物を接触させた電極を陰極還元すると、陰極から供給された電子によりケイ素酸化物がシリコンへと還元され、酸化物イオンが生成する。生成した酸化物イオンは、陽極まで移動した後に酸素、一酸化炭素または二酸化炭素のいずれかとなってガスが発生する。電解還元を行なうにあたり、ケイ素酸化物は絶縁性が高く、そのまま電極として用いても電極反応は起こらないことから、シリコンを陰極として用い、この陰極をケイ素酸化物と接触させる。この際、シリコン電極に多孔質二酸化ケイ素粉末成形体を付着させ接触させた電極を陰極に用いて電解還元を行なえば、反応で生成した酸化物イオンはあらかじめ空隙に存在する溶融塩中を拡散してバルク部分へ移行するため反応が高速化できる。二酸化ケイ素粉末成形体中に含まれるシリコン粉末としては、二酸化ケイ素中に5〜30重量%含まれることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。

https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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