高周波用磁器組成物とその製造方法、および平面型高周波回路

開放特許情報番号
L2007000339
開放特許情報登録日
2007/1/26
最新更新日
2010/10/1

基本情報

出願番号 特願2005-506511
出願日 2004/5/28
出願人 株式会社ヤスフクセラミックス、丸ス釉薬合資会社
公開番号 WO2004/106261
公開日 2004/12/9
登録番号 特許第4579159号
特許権者 株式会社ヤスフクセラミックス、丸ス釉薬合資会社
発明の名称 高周波用磁器組成物とその製造方法、および平面型高周波回路
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 高周波用磁器組成物、および平面型高周波回路
目的 フオルステライトが有する優れた高周波特性を維持しつつ、温度特性の改善を実現できる高周波用磁器組成物、およびその製造方法を提供する。
効果 この焼結体によれば、フオルステライトに由来する高い品質係数Q・fの値が殆ど損われることなく、かつ、ルチル型酸化チタンによって温度係数τ↓fの絶対値が30pm/℃以下に制御された、優れた高周波用磁器組成物を提供することができる。
技術概要
フオルステライトとルチル型酸化チタンとの焼結体からなる高周波用磁器組成物であって、フオルステライトとルチル型酸化チタンとが、それぞれの結晶相を保持しつつ焼結している高周波用磁器組成物である。また、MgOとSiO↓2を2対1のモル比で混合した原料粉末を仮焼成してフオルステライトを得る仮焼成工程と、フオルステライトに、このフオルステライトに対して15重量%以上35重量%以下のルチル型醜化チタンと、バインダとを混合し、平均粒径3μm以下となるまで粉砕して混合粉末を得る混合工程と、混合粉末を加圧成形して成形物を得る成形工程と、成形物に脱脂処理を施した後、約1200℃で焼成する本焼成工程とを実行する高周波用礎器組成物の製造方法である。図1は、高周波用磁器組成物の製造工程を示すフローチャートである。図2は、マイクロストリップ線路の構造図である。図3は、セラミックス基板と、セラミックス基板における表裏両面のうち一方の面に形成されたストリップ導体と、表裏両面のうち他方の面に形成された接地導体とを備える平面型高周波回路における種々のストリップ線路のパターンを示す平面図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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