パラジウム金属多孔質粒子の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2007000259
- 開放特許情報登録日
- 2007/1/26
- 最新更新日
- 2010/2/5
基本情報
出願番号 | 特願2005-039806 |
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出願日 | 2005/2/16 |
出願人 | 国立大学法人 千葉大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2006/8/31 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人 千葉大学 |
発明の名称 | パラジウム金属多孔質粒子の製造方法 |
技術分野 | 金属材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | パラジウム金属多孔質粒子 |
目的 | より高効率なパラジウム金属多孔質粒子の製造方法を提供する。 |
効果 | 焼成時におけるパラジウム金属粒子相互の凝集・焼結を抑え、ナノメートルオーダーの微細孔が形成されたパラジウム金属多孔質粒子をより高効率に得ることができる。 |
技術概要![]() |
ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール誘導体からなる乾燥フィルムにパラジウム化合物を分散吸着させ、加熱によりパラジウム化合物が分散吸着した乾燥フィルムを消失させてパラジウム金属多孔質粒子を製造する。乾燥フィルムを消失させる工程は、還元性又は非酸化性の雰囲気で行う。ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール誘導体は、鹸化度が60%以上であり、更に、数平均分子量が500以上20000以下であり、側鎖官能基の60%以上がヒドロキシル基であるのが好ましい。パラジウム化合物は、有機酸塩又は無機酸塩の少なくとも1種以上を含んでなり、例えば酢酸パラジウム、シュウ酸パラジウム等、無機酸塩としては例えば硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、塩化パラジウム等が好適である。乾燥フィルムを消失させる工程は、400℃以上900℃以下の範囲内の温度で行うのが好ましい。図は、パラジウム金属多孔質粒子の製造方法の概略を示す図である。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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